ELEKTRONIKA GRUDZIEŃ 2007

Spis treści zeszytu Elektronika (XLVIII) nr 12/2007

20-lecie firmy HYBRES Sp. z o.o. w Rzeszowie
- K. Zając, W. Kalita . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

International Manufacturing and Packaging Society
- 25 lat Sekcji Polskiej - J. Potencki. . . . . . . 12

Scanning acoustic and X-ray microscopy as
attractive tools for diagnostics of electronic
components (Skaningowa mikroskopia
akustyczna i mikroskopia rentgenowska jako
atrakcyjne narzędzia diagnostyki komponentów
elektronicznych) - A. Sutor-Dziedzic . . . . 14

Ceramic multilayer packages for detectors
of ? particles fabricated by thick film technology
(Ceramiczne wielowarstwowe
obudowy do detektorów cząstek ? wytworzone
technologią grubowarstwową) - J. Kulawik,
B. Gröger, D. Szwagierczak,
M. Węgrzecki, J. Bar. . . . . . . . 17

Assembly and failure analysis of "dummy" PBGA
(Montaż i metody analizy uszkodzeń układów
testowych PBGA) - B. Dziurdzia, A. Sutor-Dziedzic,
T. Kenig, T. Skowronek . . . 19

Electrical and stability properties of thin-film
resistors embedded in printed circuit boards
(Właściwości elektryczne i stabilność rezystorów
cienkowarstwowych wbudowanych
wewnątrz płytek drukowanych) - T. Józenków, A. Dziedzic,
J. Borecki, G. Kozioł . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

Imaging internal defects in thyristor structures (Obrazowanie
defektów wewnętrznych w strukturach tyrystorowych)
- R. Arsoba, Z. Suszyński . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

Thermal investigations of microelectronics structures (Badania
cieplne struktur mikroelektronicznych) - J. Potencki,
M. Węglarski, A. Andonova, N. Kafadarova . . . . . .. . . . . 29

Peltier modules array on common alumina substrate for the
blind - thermal and electrical tests (Matryca modułów Peltiera
na podłożu alundowym dla niewidomych - testy termiczne
i elektryczne) - A. Gołda, Z. Magoński, A. Kos . . . . . . . . 33

Evaluation of uncertainty in infrared thermographic measurements
of microcircuits (Ocena niepewności termograficznych
pomiarów mikroukładów w podczerwieni)
- T. Wałach . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37

Impact of wettability on quality of conformal coating encapsulation
(Wpływ zwilżalności na jakość zabezpieczenia układów
z użyciem powłok konforemnych) - A. Skwarek, K. Witek,
M. Cież, W. Grzesiak . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . 41

Capacitance calculation for conductive path - screen layer
system in hybrid circuit (Obliczanie pojemności w systemie
ścieżka przewodząca -płaszczyzna masy w układzie hybrydowym)
- B. Wisz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. 43

Suspended beams fabricated on GaAs substrates (Wiszące
struktury belkowe na podłożu GaAs) - M. Kramkowska,
I. Zubel, J. Włodarczyk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

The transport properties of sputter-deposited Ge-Sb-V
thin films (Właściwości transportu w napylanych cienkich
warstwach Ge-Sb-V) - G. Beensh-Marchwicka, E. Prociów,
T. Berlicki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49

Application of laser-plasma source with gas-puff target
for calibration of EUV radiation detectors (Zastosowanie
źródła laserowo-plazmowego z tarczą gazową do testowania
detektorów promieniowania z zakresu skrajnego nadfioletu)
- J. Mikołajczyk, Z. Bielecki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

Noise signal analyzer for multi-terminal devices (Analizator
szumu w elementach wielokońcówkowych) - A.W. Stadler . . 54

Zastosowanie klejów anizotropowych w postaci folii w technologii
flip chip oraz montażu paneli wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
(Anisotropic conductive films in flip chip
assembly and LCD modules connection) - Z. Szczepański,
J. Kalenik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

Influence of materials and technological factors on lead-free
components solderability (Wpływ czynników materiałowych
i technologicznych na lutowność podzespołów bezołowiowych)
- J. Sitek, K. Bukat, Z. Drozd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

TECHNIKA SENSOROWA: Czujnik gazu wykonany techniką
LTCC (LTCC gas flow sensor) - D. Jurków, L. Golonka,
H. Roguszczak. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63

The influence of electrocatalytic toxic gas sensor construction
on its performance (Wpływ konstrukcji elektrokatalitycznych
czujników gazów toksycznych na ich właściwości)
-G.Jaśiński, P. Jasiński , A. Nowakowski, B. Chachulski ..... 65

Nowe rozwiązania cyfrowych zespołów EAZ (New solutions
in digital power network protection devices) - J. Dumała,
A. Lisowiec . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

Nowy interfejs użytkownika w urządzeniach EAZ (The new
user interface in protection relays) - A. Kalinowski, G. Kowalski
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

Selektywna identyfikacja odpływów z uszkodzoną izolacją
doziemną w wieloodpływowych sieciach elektroenergetycznych
z izolowanym punktem neutralnym (Selective
identification of ground isolation faults in multi-outflow IT power
distribution networks) - P. Kluk. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

Pomiary charakterystyk anten w strefie bliskiej (The antenna
radiation pattern measurements in the near field) - S. Pyszak,
M. Wnuk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

System-level perspective of computation and communication
refinement for a subpredictor-blending-based compression
system (Zastosowanie elektronicznego poziomu systemowego
do modelowania jednostek obliczeniowych i komunikacji
systemu kompresji danych wykorzystującego mieszanie
predyktorów) P. Dziurzański, G. Ulacha. . . . . . . . . . . . . . . . 86

Małosygnałowy elektrotermiczny model przetwornicy
boost (Small-signal electrothermal model of boost converter)
K. Górecki, J. Zarębski . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90

SPIS ZAWARTOŚCI ROCZNIKA 2007 (CONTENTS 2007). . . . 93

TECHNIKA PRÓŻNI I TECHNOLOGIE PRÓŻNIOWE - biuletyn
1-2 (44-45) 2007

VACUUM TECHNOLOGY AND VACUUM ENGINEERING - bulletin
no 1-2 (44-45) 2007 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97

NOWOŚCI TECHNIKI (TECHNOLOGY NEWS) . . . . . . . . . . . III

Streszczenia artykułów • Summaries of the articles

SUTOR-DZIEDZIC A.: Skaningowa mikroskopia akustyczna i mikroskopia
rentgenowska jako atrakcyjne narzędzia diagnostyki
komponentów elektronicznych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 14
Skaningowa mikroskopia akustyczna oraz mikroskopia rentgenowska
są szeroko stosowane w materiałoznawstwie, technologiach elektronicznych
i fotonicznych oraz w medycynie i budownictwie do nieniszczącej
charakteryzacji materiałów, komponentów lub mikroukładów.
Obie te metody inspekcji zastosowane razem pozwalają m.in. badać
różne mikroelektroniczne przyrządy aktywne i elementy bierne, płytki
i obwody drukowane, struktury grubowarstwowe i obudowy mikroelektroniczne.
Defekty, takie jak pęknięcia, rozwarstwienia podpowierzchniowe
(delaminacje) lub pory mogą być obserwowane w metalach,
tworzywach sztucznych, ceramice oraz materiałach kompozytowych.
Artykuł przedstawia kilka przykładów struktur, elementów i obwodów
elektronicznych badanych za pomocą skaningowego mikroskopu
akustycznego SONOSCAN D-9000 o częstotliwości przetworników
10-230 MHz oraz mikroskopu rentgenowskiego FEINFOCUS FXS
160-32, które umożliwiają obserwację defektów z rozdzielczością
20 ľm.
Słowa kluczowe: skaningowa mikroskopia akustyczna, mikroskopia
rentgenowska, diagnostyka nieniszcząca


KULAWIK J., GRÖGER B., SZWAGIERCZAK D., WĘGRZECKI M.,
BAR J.: Ceramiczne wielowarstwowe obudowy do detektorów
cząstek ? wytworzone technologią grubowarstwową

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 17
Opisano projektowanie i wytwarzanie wielowarstwowych ceramicznych
obudów nowych krzemowych detektorów cząstek ?. W celu
spełnienia stawianych wymagań zastosowano wieloetapową procedurę
obejmującą precyzyjne cięcie i szlifowanie podłoży z tlenku glinu,
drukowanie, układanie elementów obudowy i wypalanie w różnych
warunkach temperaturowych. Dobrano odpowiednie wzory sit i rodzaje
past na bazie Au, AgPt i niskotopliwego szkliwa, przeznaczonych
do nanoszenia powierzchni pól kontaktów elektrycznych, kontaktów
pomiędzy górnymi i dolnymi warstwami metalizacji, pól do połączeń
utrakompresyjnych, warstw dielektrycznych i sklejania ułożonych
elementów ceramicznej obudowy. Do problemów, których pokonanie
było konieczne, należało: zapewnienie szczelności, wytrzymałości
mechanicznej i odporności na pracę w gradiencie temperatur (od temperatury
pokojowej do ciekłego azotu), a także uniknięcie pozostawienia
odsłoniętych obszarów metali szlachetnych poza strukturą detektorową.
Struktury p+- ? -n+ detektorów krzemowych, wielowarstwowa
obudowa ceramiczna i sposób montażu zostały opracowane w Instytucie
Technologii Elektronowej. W Paul-Scherrer Institut w Villingen
w Szwajcarii 32 pary nowych struktur detektorowych wmontowano w
matrycę detektora Cryo-On-Line-Detector (COLD).
Słowa kluczowe: technologia grubowarstwowa, wielowarstwowa
obudowa ceramiczna, detektor cząstek


DZIURDZIA B., SUTOR-DZIEDZIC A., KENIG T., SKOWRONEK T.:
Montaż i metody analizy uszkodzeń układów testowych PBGA

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 19
Przedstawiono metodę montażu i analizy uszkodzeń układów testowych
BGA w obudowach plastykowych (PBGA), zamontowanych na
płytkach drukowanych metodą lutowania rozpływowego. Są układami
tzw. "pustymi" przeznaczonymi do testowania połączeń lutowanych
- są replikami rzeczywistych układów BGA, ale bez chipów krzemowych
pod plastykowymi obudowami układów. Układy testowe mają
również system połączeń między kulkami układu BGA, odpowiadający
systemowi połączeń między polami lutowniczych na płytce PCB
tak, aby po zastosowaniu lutowania rozpływowego możliwe było
sprawdzenie poprawności montażu przez pomiar rezystancji pomiędzy
polami kontrolnymi układu.
Słowa kluczowe: PBGA, "puste elementy" do testowania połączeń
lutowanych, lutowanie rozpływowe, testowy układ połączeń pomiędzy
kulkami układu BGA, mikroskop rentgenowski, mikroskop akustyczny,
zgłady metalograficzne

JÓZENKÓW T., DZIEDZIC A., BORECKI J., KOZIOŁ G.: Właściwości
elektryczne i stabilność rezystorów cienkowarstwowych
wbudowanych wewnątrz płytek drukowanych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 23
Artykuł przedstawia wybrane właściwości elektryczne i stabilność
nowej klasy elementów biernych - rezystorów cienkowarstwowych
powierzchniowych lub wbudowanych wewnątrz płytek drukowanych.
Komponenty takie wykonano na laminatach z warstwą rezystywną
Ohmega-Ply (o rezystancji powierzchniowej 25 /kw. i 100 /kw.).
Określono i przeanalizowano wpływ geometrii rezystora (szerokość,
współczynnik kształtu) oraz procesu wbudowywania na rezystancję,
rezystancję powierzchniową i temperaturową charakterystykę rezystancji
w szerokim zakresie temperatur (od -170...130°C). Analizowano
również stabilność elementów, tj. względne zmiany rezystancji po
długoczasowym starzeniu termicznym w podwyższonej temperaturze
(100°C i/lub 150°C) oraz zmiany rezystancji po elektrycznych narażeniach
impulsowych.
Słowa kluczowe: płytka drukowana, wbudowany rezystor cienkowarstwowy,
odporność impulsowa, stabilność długoczasowa

ARSOBA R., SUSZYŃSKI Z.: Obrazowanie defektów wewnętrznych
w strukturach tyrystorowych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 26
Artykuł prezentuje wyniki obrazowania defektów wewnętrznych
w strukturach krzem-aluminium-molibden stosowanych do produkcji
tyrystorów dużej mocy. Do obrazowania defektów wykorzystano
różne techniki pomiarowe. Badania nieniszczące struktur przeprowadzono
przy użyciu skaningowej mikroskopii akustycznej (SAM)
oraz metod termofalowych (metody fotoakustycznej z pobudzeniem
harmonicznym i metody termowizyjnej z grzaniem indukcyjnym). Wykonano
również badania niszczące w celu zobrazowania za pomocą
skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) przekroju obszarów
zawierających defekty. Przedstawiono porównanie obrazów otrzymanych
różnymi metodami pomiarowymi.
Słowa kluczowe: obrazowanie, defekt wewnętrzny, badania nieniszczące,
struktura warstwowa, tyrystor

POTENCKI J., WĘGLARSKI M., ANDONOVA A., KAFADAROVA
N.: Badania cieplne struktur mikroelektronicznych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 29
Publikacja poświęcona jest wybranym zagadnieniom związanym
z projektowaniem i analizą zjawisk cieplnych, zachodzących w mikrostrukturach
elektronicznych. Celem jej jest przybliżenie praktycznych
rozwiązań w zakresie analizy dynamicznych i statycznych problemów
wymiany ciepła, zarówno przy użyciu metod symulacyjnych CFD
(ang. Computational Fluid Dynamics) jak i badań doświadczalnych.
Prezentowana metodologia badawcza wykorzystuje zarówno oprogramowanie
narzędziowe, specjalizowane do tego typu zagadnień,
jak i klasyczną teorię przepływu ciepła do poznania mikrostruktury,
w której istotną rolę odgrywają źródła ciepła. Dobra wiedza na temat
zjawisk zachodzących w rzeczywistej mikroukładzie jest podstawą do
określenia współczynników niezawodności oraz podstawowych własności
cieplnych. Artykuł porusza zagadnienia związane z doświadczeniami
laboratoryjnymi, które wspomagają teoretyczne badania.
Słowa kluczowe: symulacja przepływu ciepła, dynamiczne zjawiska
cieplne, pola stałej temperatury, własności cieplne, niezawodność

GOŁDA A., MAGOŃSKI Z., KOS A.: Matryca modułów Peltiera na
podłożu alundowym dla niewidomych - testy termiczne i elektryczne

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 33
Przedstawiono termiczną protezę dla osób niewidomych. Mikromoduły
Peltiera zostały przylutowane do podłoża alundowego, na którym
wykonano połączenia metodą sitodruku. Prezentowane rozwiązanie
umożliwia przyśpieszenie pracy urządzenia, lepszą stabilizację temperatury
dotykanych mikromodułów Peltiera, dokładniejszą wizualizację
termiczną i większą wytrzymałość mechaniczną.
Słowa kluczowe: znaki termiczne, ceramika alundowa, pompy Peltiera,
niewidomi


WAŁACH T.: Ocena niepewności pomiarów termograficznych mikroukładów
w podczerwieni
Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 37
Zgodnie z przewodnikiem ISO, wyniki pomiarów powinny być przedstawiane
razem z niepewnością tych pomiarów (szczególnie dotyczy
to firm i organizacji posiadających certyfikaty zgodności z normami
ISO 9000 oraz EN 45000). W pomiarach temperatury, również w elektronice,
bardzo często używane są kamery pracujące w podczerwieni.
Wtedy pomiary temperatury muszą zwykle być poprzedzone pomiarami
emisyjności. Przedstawiono schemat blokowy typowego układu
pomiarowego stosowanego w pomiarach emisyjności i temperatury
mikroukładów, oraz wiele czynników wpływających na niepewność
tych pomiarów wraz ze sposobami kompensowania tych wpływów.
Analiza pokazuje, że niepewność pomiaru emisyjności powinna być
minimalizowana podczas pomiaru wysokiej temperatury. Zaproponowano
procedurę obliczania względnej złożonej niepewności standardowej
pomiaru emisyjności, lecz procedura ta może być również
zastosowana w przypadku pomiaru temperatury. Wyniki obliczeń
pozwalają ocenić ogólnie niepewność pomiaru emisyjności, a także
określić warunki otrzymywania małych wartości tej niepewności.
Słowa kluczowe: podczerwień, pomiar, niepewność pomiarów, temperatura,
emisyjność, elektronika

SKWAREK A., WITEK K., CIEŻ M., GRZESIAK W.: Wpływ zwilżalności
na jakość zabezpieczenia układów przy użyciu powłok
konforemnych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 41
Powłoki konforemne są cienkimi warstwami o grubości 25-50 um, zabezpieczającymi
elementy układów przed działaniem takich czynników
jak: ścieranie, temperatura, ozon, pleśnie, wilgoć oraz promieniowanie
ultrafioletowe. Właściwości fizyczne i skład chemiczny powłok gwarantują
różny stopień zabezpieczenia przed wspomnianymi czynnikami środowiskowymi.
Cechą charakterystyczną tych zabezpieczeń jest możliwość
wiernokątnego odwzorowania powierzchni próbki. Dobór odpowiedniego
rodzaju powłoki konforemnej, współpracującej z podłożem ma znaczny
wpływ na późniejszą jakość zabezpieczenia układu. Pomiary zarówno
napięcia powierzchniowego cieczy jak i energii powierzchniowej podłoża
są czynnikami mogącymi znacząco wpływać na przyszłą kooperację
podłoża i powłoki konforemnej, a w rezultacie ochronę układu elektronicznego.
Przedstawiono zarówno niektóre praktyczne informacje dotyczące
powłok konforemnych, jak i wytyczne dotyczące wyboru powłoki
konforemnej w celu zapewnienia dobrej kooperacji powłoki z podłożem.
Słowa kluczowe: powłoki konforemne, kąt zwilżania, zwilżalność,
energia powierzchniowa

WISZ B.: Obliczanie pojemności w systemie ścieżka przewodząca
- płaszczyzna masy w układzie hybrydowym

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 43
Zaprezentowano sposoby obliczania wartości pojemności pomiędzy
umieszczoną na jednej stronie dielektrycznego podłoża ścieżką przewodzącą
a płaszczyzną masy po jego drugiej stronie. Zastosowana
metoda polega na rozwiązaniu dwuwymiarowego zagadnienia brzegowego.
Potencjał elektryczny przedstawiony w postaci całek Fouriera
spełnia równanie Laplace'a. Po matematycznych przekształceniach
otrzymuje się w rezultacie równanie całkowe dla rozkładu
gęstości ładunku elektrycznego, które jest następnie rozwiązywane
metodą numeryczną. Na tej podstawie obliczono wartość pojemności
i przeprowadzono jej doświadczalną weryfikację.
Słowa kluczowe:pojemności sprzęgające, całki Fouriera, metoda
kolokacji

KRAMKOWSKA M., ZUBEL I., WŁODARCZYK J.: Wiszące struktury
belkowe na podłożu GaAs

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 46
Opisano proces wytwarzania podwieszanych belek wykorzystujący
głębokie trawienie monokrystalicznego GaAs. Przetestowano dwa systemy
trawiące: na bazie kwasu fosforowego i cytrynowego. Najlepsze
wyniki, zapewniające wytworzenie regularnych podwieszanych
struktur uzyskano w roztworze kwasu cytrynowego w podwyższonej
temperaturze przy użyciu maski z pozytywowego fotolakieru AZ 1813.
Wytworzone struktury dają możliwość monolitycznej integracji z przyrządami
elektronicznymi i optoelektronicznymi.
Słowa kluczowe: GaAs, trawienie monokrystaliczne, mikromechanika

BEENSH-MARCHWICKA G., PROCIÓW E., BERLICKI T.: Właściwości
transportu w napylanych cienkich warstwach Ge-Sb-V

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 49
Analizowano temperaturowo zależne własności transportu warstw
Ge-Sb-V, otrzymywanych techniką impulsowego rozpylania magnetronowego,
wykazujących przewodnictwo typu p. Domieszkowanie
Sb i V germanu i starzenie po wytworzeniu w atmosferze powietrza
przy 823 lub 923 K było warunkiem koniecznym otrzymania przewodnictwa
typu p i bardzo dużej wartości współczynnika Seebecka od
400 do 160 ľV/K. Temperaturę wygrzewania warstw po nanoszeniu
i zawartość wanadu w warstwie przyjęto jako zmienne parametry do
badania wpływu na zachowanie się rezystywności i siły termoelektrycznej
w funkcji temperatury i na tej podstawie próbowano określić
mechanizm transportu nośników w warstwach. Analiza struktury wykazała,
że warstwy o grubości około 3 ľm pozostają mikrokrystaliczne
oraz, że dominującym mechanizmem transportu nośników dla prądu
stałego był trójwymiarowy hopping zmienno-zasięgowy (VHR).
Słowa kluczowe: warstwa Ge-Sb-V, właściwości termoelektryczne,
przewodnictwo hoppingowe


MIKOŁAJCZYK J., BIELECKI Z.: Zastosowanie źródła laserowoplazmowego
z tarczą gazową do testowania detektorów promieniowania
z zakresu skrajnego nadfioletu

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 51
Przedstawiono stanowisko laboratoryjne do pomiarów czułości widmowej
detektorów promieniowania zakresu skrajnego nadfioletu (? = 13,5
nm). Promieniowanie to jest szczególnie istotne, gdyż stanowi perspektywę
dalszego rozwoju nanolitografii. Obecnie zasadniczym zagadnieniem
tej technologii są bezwzględne pomiary energii promieniowania.
Skonstruowanie w Instytucie Optoelektroniki WAT źródła laserowo-plazmowego
z tarczą gazową dało możliwość przygotowania specjalnej
procedury testującej. Opracowane na podstawie badań wstępnych stanowisko
laboratoryjne charakteryzuje się dużą niezawodnością, małymi
kosztami eksploatacji oraz krótkim czasem trwania procedury pomiarowej
detektorów promieniowania z zakresu skrajnego nadfioletu.
Słowa kluczowe: promieniowanie zakresu skrajnego nadfioletu, nanolitografii,
kalibracja detektorów

STADLER A.W.: Analizator szumu w elementach wielokońcówkowych:
Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 54
Opisano konstrukcję analizatora szumu niskoczęstotliwościowego
w elementach i przyrządach wielokońcówkowych. Wykorzystano architekturę
FFT i koncepcję przyrządu wirtualnego. Przeprowadzono
eksperyment w temperaturze pokojowej dotyczący pomiaru szumu
w wielokońcówkowym rezystorze RuO2+szkło, pokazując przydatność
opracowanego analizatora. Potwierdzono, że zaobserwowany
szum jest typu 1/f. W widmach drugiego rzędu wykryto składnik niestacjonarny.
Eksperyment pokazał, że opracowany analizator znacznie
rozszerza zakres możliwej do przeprowadzenia analizy szumu
w badanych elementach.
Słowa kluczowe: szum niskoczęstotliwościowy, rezystory
RuO2+szkło, przyrząd wirtualny

SZCZEPAŃSKI Z., KALENIK J.: Zastosowanie klejów anizotropowych
w postaci folii w technologii flip chip oraz montażu paneli
wyświetlaczy ciekłokrystalicznych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 56
Kleje anizotropowe w postaci folii znajdują zastosowanie w montażu paneli
wyświetlaczy ciekłokrystalicznych LCD, gdzie wymagana podziałka
w postaci kuleczek szklanych pokrytych srebrem, drugi zaś
z cząsteczkami polimerowymi pokrytymi niklem. Testowe struktury flip
chip miały kontakty podwyższone ze złota i lutowia cynowo-ołowiowego.
Struktury te były montowane do podłoża FR-4 i podłoża szklanego ze
ścieżkami przewodzącymi wielowarstwowymi. Przedstawiona została
procedura montażu oraz rezultaty z badań w postaci zmian rezystancji
kontaktu po przeprowadzonych testach niezawodnościowych.
Słowa kluczowe: kleje anizotropowe, technologia flip chip, obwód
elastyczny, moduł wyświetlacza ciekłokrystalicznego

SITEK J., BUKAT K., DROZD Z.: Wpływ czynników materiałowych
i technologicznych na lutowność podzespołów bezołowiowych

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 60
Wyprowadzenia podzespołów elektronicznych, by zapewnić zgodność
z dyrektywą RoHS są pokrywane różnymi powłokami, w przeciwieństwie
do klasycznej technologii SnPb. Obecnie najczęściej
są stosowane powłoki: Sn, Ni/Pd, Ni/Pd/Au, Sn/Cu, SAC oraz Sn/
Bi. W artykule ukazano wyniki badań lutowności bezołowiowych
podzespołów elektronicznych z różnymi powłokami na wyprowadzeniach.
Badania zostały przeprowadzone dla podzespołów w
stanie dostawy jak również po starzeniu przyspieszonym oraz naturalnym.
Stwierdzono znaczne różnice w lutowności podzespołów
po starzeniu. Ukazano także wyniki zwilżalności podzespołów
w zależności od temperatury procesu lutowania oraz aktywności
topników. Prezentowane wyniki ukazują wpływ czynników materiałowych
i technologicznych na lutowność podzespołów bezołowiowych.
Słowa kluczowe: technologia bezołowiowa, podzespoły elektroniczne,
powłoki podzespołów, lutowność

JURKÓW D., GOLONKA L., ROGUSZCZAK H.: Czujnik gazu wykonany
techniką LTCC

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 63
W pracy przedstawiono nowy typ mikromechanicznego czujnika
gazu wykonanego w technice niskotemperaturowej współwypalanej
ceramiki (LTCC). Czujnik składa się z kanałów gazowych, komory z
wałkiem i turbiny. Prędkość przepływu gazu jest mierzona metodą optyczną.
Może być ona ustalona na podstawie pomiaru częstotliwości
obrotu turbiny. Omówiono technikę pomiaru przepływu i konstrukcję
czujnika.
Słowa kluczowe: gaz, przepływ, czujnik, LTCC

JASIŃSKI G., JASIŃSKI P., NOWAKOWSKI A., CHACHULSKI B.:
Wpływ konstrukcji elektrokatalitycznych czujników gazów toksycznych
na ich właściwości

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 65
Przedstawiono wyniki badań wpływu konstrukcji czujnika na jego
właściwości. Porównano właściwości czujników wykonanych w technologiach
ceramicznej i grubowarstwowej. Czujniki grubowarstwowe
przygotowano poprzez nałożenie kolejno warstw elektrod i elektrolitu
na alundowe podłoże. Czujniki przygotowane w technologii ceramicznej
miały formę pastylek z elektrodami po obu stronach. Jako elektrolit
wykorzystano Lisicon, elektrolit stały z mobilnymi jonami litu. Badania
przeprowadzono w mieszaninie o kontrolowanym składzie wysokiej
jakości gazów: dwutlenku azotu, dwutlenku siarki, dwutlenku węgla i
syntetycznego powietrza w szerokim zakresie temperatur.
Słowa kluczowe: czujniki gazów, elektrolity stałe, technologia grubowarstwowa,
technologia ceramiczna

DUMAŁA J., LISOWIEC A.: Nowe rozwiązania cyfrowych zespołów
EAZ

Elektronika (XLVIII)n nr 12/2007, s. 68
Przedstawiono najnowsze rozwiązania stosowane w cyfrowych zespołach
EAZ, służące poszerzeniu funkcjonalności oraz uniwersalności
sterowników polowych.
Słowa kluczowe: automatyka elektroenergetyczna, zabezpieczenia
elektroenergetyczne

KALINOWSKI A., KOWALSKI G.: Nowy interfejs użytkownika
w urządzeniach EAZ

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 72
Artykuł przedstawia opis interfejsu umożliwiającego wprowadzanie
nastaw i operowanie funkcjami urządzenia EAZ bezpośrednio z płyty
czołowej oraz zdalnie za pośrednictwem nadajnika podczerwieni.
Słowa kluczowe: interfejs użytkownika, przekaźniki zabezpieczeniowe,
elektroenegetyka

KLUK P.: Selektywna identyfikacja odpływów z uszkodzoną izolacją
doziemną w wieloodpływowych sieciach elektroenergetycznych
z izolowanym punktem neutralnym

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 74
Zaprezentowano analizę i porównanie teoretycznie możliwych metod
wykrywania uszkodzeń izolacji doziemnej oraz selektywnej identyfi-
kacji odpływów, w których nastąpiło uszkodzenie izolacji doziemnej
w wieloodpływowych sieciach elektroenergetycznych z izolowanym
punktem neutralnym. Głównym celem pracy było oszacowanie praktycznej
stosowalności tych metod oraz wybór jednej z nich do realizacji
selektywnego zabezpieczenia upływowego, przeznaczonego
do zastosowania w rozdzielnicach kopalnianych stacji transformatorowych.
Słowa kluczowe: sieci elektroenergetyczne z izolowanym punktem
neutralnym, rezystancja izolacji doziemnej, kopalniane stacje transformatorowe
z wieloma odpływami, selektywne zabezpieczenie upływowe

PYSZAK S., WNUK M.: Pomiary charakterystyk anten w strefie
bliskiej

Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 80
Przedstawiono podstawy teoretyczne pomiarów anten w strefie bliskiej.
Omówiono zaprojektowane, zestawione i uruchomione stanowisko
do pomiaru anten w polu bliskim metodą planarną, kartezjańską
z wykorzystaniem komory bezodbiciowej. Uzyskane dane pomiarowe
przeliczono w specjalnie opracowanym w środowisku Matlab programie
matematycznym. Obliczone wartości pola w strefie dalekiej
zostały przekształcone do postaci umożliwiającej prezentację w formie
przekroju przestrzennej charakterystyki promieniowania anteny.
Wyliczone charakterystyki promieniowania zostały porównane do wyników
pomiarów przeprowadzonych w polu dalekim. Uzyskano dużą
zgodność wyników.
Słowa kluczowe: pomiary anten, strefa daleka, strefa bliska, pomiary
charakterystyk amplitudy i fazy

DZIURZAŃSKI P., ULACHA G.: Zastosowanie elektronicznego
poziomu systemowego do modelowania jednostek obliczeniowych
i komunikacji systemu kompresji danych wykorzystującego
mieszanie predyktorów

Elektronika (XLVIII), nr 12/.2007, s. 86
Opisano zastosowanie modelowania na elektronicznym poziomie
systemowym ESL (ang. Electronic-System-Level) do projektowania
architektury systemu bezstratnej kompresji danych, wykorzystującej
metodę mieszania predyktorów. Przedstawiono powody, dla których
poziom ESL jest odpowiedni dla projektu i dostarczono informacji na
temat najpopularniejszego obecnie języka modelowania na poziomie
ESL - SystemC. Opisano również pokrótce stosowaną metodę kompresji,
a także paradygmat sieci wewnątrzukładowych (ang. Networkon-
Chip), wykorzystujących przełączanie pakietów. Przedstawione
badania eksperymentalne pokazują, że zaproponowany algorytm
można korzystnie zaimplementować w sprzęcie oraz że synteza
sprzętowa z poziomu ESL jest wystarczająco stabilna i możliwa do
zastosowania w przypadku podobnych zadań.
Słowa kluczowe: elektroniczny poziom systemowy, bezstratna kompresja,
mieszanie predyktorów, sieci wewnątrzukładowe, synteza poziomu
systemu

GÓRECKI K., ZARĘBSKI J.: Małosygnałowy elektrotermiczny
model przetwornicy boost

Elektronika (XLVIII), nr 12/2007, s. 90
Opisano sposób formułowania i postać uśrednionego elektrotermicznego,
małosygnałowego modelu dławikowych przetwornic boost. Za
pomocą tego modelu wyznaczono charakterystyki częstotliwościowe
badanej przetwornicy dla różnych warunków chłodzenia elementów
półprzewodnikowych, zawartych w tej przetwornicy. Na podstawie
uzyskanych wyników obliczeń stwierdzono wzrost tłumienia składowej
zmiennej napięcia wyjściowego rozważanej przetwornicy przy
wzroście częstotliwości sygnału sterującego i przy wzroście rezystancji
termicznej elementów półprzewodnikowych.
Słowa kluczowe: przetwornice dc-dc, charakterystyki częstotliwościowe,
modele uśrednione, SPICE