ELEKTRONIKA WRZESIEŃ 2008

Spis treści zeszytu Elektronika XLIX nr 9/2008

Mikrofalowy model analogowych łączy światłowodowych
(Microwave Model of Analog Fiber-Optic Links ) - B. Galwas,
J. Piotrowski, K. Madziar .........................................13

Badania konduktywności zespolonej nanowarstw(Investigation
of complex conductivity of nanolayers) - J. Krupka, Z. Mączeński,
M. Baszun .............................................................18

Przetwarzanie cyfrowe obrazówspolaryzowanych () - P.Garbat,
M. Sutkowski,A.Walczak.......................................21

Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy
statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych
(Characterization of FinFETs based on analysis of static I-V
characteristics) - J. Gibki, L. Łukasiak,A. Jakubowski....24

Stabilność wybranych właściwości bezołowiowych połączeń
lutowanych w grubowarstwowych układach hybrydowych
(Stability of some properties of lead-free solder joints in thick film
hybrid circuits) - J. Kalenik, K. Kiełbasiński, R. Kisiel, M. Jakubowska,
J. Szmidt ..........................................................................27

Modelowanie rozkładu energetycznego jonów w plazmie w. cz.
poprzez dopasowanie teoretycznych profili poimplantacyjnych
do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS (A novel method
of energy distribution of ions in r. f plasma evaluation by
compared fluorine distribution profiles simulated by SRIMwith fluorine
distribution profile obtained by SIMS) - M. Kalisz, R. B.
Beck.....................................................................................37

Niskomocowy specjalizowany układ scalony do detekcji tachykardii
z przeznaczeniem do wszczepialnych defibrylatorów
(Low-power ASIC for implantable cardioverter defibrillator) -
Z. Jaworski ....................................................................................40

Model generacji promieniowania w laserach DBR z ośrodkiem
w postaci planarnego światłowodu fotonicznego (Nonlinear
generation of planar waveguide laser with 1D photonic crystalmirrors)
- A. Mossakowska-Wyszyńska ...............................................46

Polaryzacyjny system analizy obrazów z filtrem ciekłokrystalicznym
(Polarization Difference Imaging system with LC filter) -
M. Sutkowski, P. Garbat, A. Walczak ..............................................50

Badanie emisji krótkofalowejw domieszkowanych jonami Nd3+
szkłach niskofononowych (Short-wavelength emission properties
of Nd3+ doped low-phonon glasses) - M. Klimczak, R. Piramidowicz,
M. Malinowski ..................................................................52

Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości
diod Schottky'ego (Influence of surface cleaning effects on
properties of Schottky diodes on 4H-SiC) - N. Kwietniewski,M. Sochacki,
J. Szmidt,M.Guziewicz, E. Kamińska,A. Piotrowska .........57

Wytwarzanie, trawienie plazmowe i własności cienkich warstw
BaTiO3 dla zastosowań elektronicznych (Deposition, plasma
etching and properties of BaTiO3 thin films for electronic aplication)
- P. Firek,A.Werbowy, N. Kwietniewski, J. Szmidt,A.Olszyna,
M. Ćwil ..........................................................................................62

Teoria wielomodowej pracy lasera z ośrodkiem aktywnym w
postaci kryształu fotonicznego o sieci kwadratowej (Theory of
multimode operation of square lattice photonic crystal laser) -
M. Koba, P. Szczepański ..............................................................69

Jonowy laser argonowo-kryptonowy do zastosowań w okulis-
tyce (Argon-krypton ion laser for use in ophthalmology) - W. Kamiński,
J. Kęsik, P.Warda, M. Osiniak, J. Kasprzak .......................79

Energooszczędność w bezprzewodowych sieciach rozproszonych
czujników (Power saving in wireless distributed-sensor networks)
- J. Jasiński, M. Osiniak ...................................................82

Modelowanie przepływu gazu z uwzględnieniem zderzeń
międzycząsteczkowych metodą DSMC (Modeling of the gas
flow with intermolecular collisions using DSMC method) -
M. Niewiński...................................................................88

Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych
strukturachMOS z bardzo cienką warstwą aktywną (Modeling
charge-pumping current in double-gate MOS structures with very
thin active region) - L. Łukasiak, D. Tomaszewski, A. Sawicka,
G. Głuszko,M. Iwanowicz,A. Jakubowski ......................................92

Materiały o dużej stałej dielektrycznej w tranzystorach MOS
(Modeling charge-pumping current in double-gate MOS structures
with very thin active region) -A.Mazurak, J.Walczak, B.Majkusiak .96

Charakteryzacja komórek standardowych CMOS dla generacji
wektorów testowych (Characterization of CMOS Standard Cells
for Test Pattern Generation) -W.A. Pleskacz,A.Wielgus, D. Kasprowicz,
T. Borejko, W. Kuźmicz.....................................................102

Właściwości emisyjne eutektyku Tb3Sc2Al3O12-TbScO3 o periodycznym
uporządkowaniu (Emission properties of
Tb3Sc2Al3O12-TbScO3 eutectic with periodic structure) -
M. Kaczkan, D. Pawlak .....................................................................112

Mieszanie opto-mikrofalowe w układach z fotodiodami PIN
(Opto-microwave mixing process in circuits containing PIN photodiodes)
- J. Dawidczyk ..................................................................116

Statyczny pobór mocy w nanometrowych układach scalonych
CMOS (Static power consumption in nanometer CMOS integrated
circuits) -W. Kuźmicz,A. Pfitzner, E. Piwowarska, D. Kasprowicz ...119

Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwu
bramkowymtranzystorzeMOS(Modeling of selected short-channel
effects in a DGMOSFET) - A. Sawicka, L. Lukasiak, A. Jakubowski
..................................................................................123

Mikroelektroniczne i optoelektroniczne przyrządy sensorowe z
warstwami diamentowymi i diamentopodobnymi (Microelectronic
and optoelectronic sensing devices with diamond and diamond-
like carbon thin films) - M. Śmietana, A.Werbowy, J. Szmidt 126

Technologia i zastosowaniewarstwtlenko-azotkówkrzemuwytwarzanych
metodą PECVD do struktur pamięciowych z podwójną
warstwą dielektryczną (SiOxNy-HfO2) (Technology and
application of PECVD silicon oxynitride layers in non-volatile semiconductormemory
(NVSM) devices) - R.Mroczyński,R. B. Beck ...131

TECHNIKA MIKROFALOWA I RADIOLOKACJA: Zagadnienie
efektu wewnętrznych sprzężeń elektromagnetycznych w antenach
falowodowo-szczelinowych (Analysis of an internalmutual
couplings effect in slotted waveguide array antennas) -
M. Grabowski ..............................................................................136

Sześciobitowy monolityczny przesuwnik fazy na pasmo S (Sbandmonolithic
6-bit phase shifter) - E. Sędek, P. Szymański .......140

TECHNIKA INFORMATYCZNA: Analiza wpływu kształtu i gęstości
rastra CTP na cechy obrazu drukowanego. Zagadnienia
wstępne i zdefiniowanie pojęć (An analysis of the effect of the raster
shape and density for image quality in the CTP processing.
Problem presentation and base definitions) - W. Nowakowski,
R. Czajkowski,.P.Malik .....................................................................143

Spójność modeli komputerowych w inżynierii oprogramowania
i inżynierii biznesu. Modele UML (Consistency of computer
models in software and business engineering. UML models) -
A. Kaczmarczyk, M. Kacprzaki ....................................................149

TECHNIKASENSOROWA: Przyrządy do oznaczania glukozy dla
potrzeb medycznych. Stan obecny i perspektywy dalszego
rozwoju (Instruments for glucose measurements. Present state
and prospects for farther development) - I. Zawicki ..........................154

Streszczenia artykułów • Summaries of the articles

GALWAS B., PIOTROWSKI J., MADZIAR K.: Mikrofalowy model
analogowych łączy światłowodowych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 13
W artykule wprowadzono opis własności mikrofalowych optycznego
łącza analogowego za pomocą mikrofalowego narzędzia, jakim jest
macierz rozproszenia. Pozwoliło to na przedstawienie zarówno amplitudowych
jak i fazowych parametrów łącza. Przedstawiono opis nadajnika
optycznego z modulacją bezpośrednia mocy lasera, a także
z modulacją zewnętrzną z zastosowaniem modulatora elektrooptycznego.
Opisano właściwości transmisyjne światłowodu i parametry
odbiornika optycznego z fotodiodą PIN.
Słowa kluczowe: fotonika mikrofalowa, łącza światłowodowe, macierze
rozproszenia

KRUPKA J., MĄCZEŃSKI Z., BASZUN M.: Badania konduktywności
zespolonej nanowarstw
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 18
Badanie przewodnictwa bardzo cienkich warstw przewodzących (nanowarstw),
niezbędne dla określenia zarówno ich właściwości aplikacyjnych,
jak i dla poznania mechanizmów fizycznych decydujących
o tej przewodności, wymaga podejścia odmiennego od metodyki badania
konduktywności materiałów litych. Przedstawiono podstawowe
trudności związane z badaniem konduktywności nanowarstw zarówno
dla pomiarów DC, jak i w paśmie mikrofalowym. Przedstawiono
rozwiązania sond pomiarowych do kontaktowego i bezkontaktowego
pomiaru konduktywności oraz wyniki takich pomiarów dla wybranych
nanowarstw. Stwierdzono zmienność konduktywności z częstotliwością,
co wiąże się z nieciągłością warstw i poprzez wpływ lokalnych
pojemności, nadaje konduktywności charakter wielkości
zespolonej.
Słowa kluczowe: nanowarstwy przewodzące, rezystywność powierzchniowa,
mikrofalowe pomiary rezystywności

GARBAT P., SUTKOWSKI M., WALCZAK A.: Przetwarzanie cyfrowe
obrazów spolaryzowanych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 21
Metody analizy stopnia polaryzacji we współczesnych systemach obrazowania
z cyfrowym przetwarzaniem obrazu zdobywają coraz
większą popularność. W klasycznym ujęciu systemy przetwarzania i
analizy obrazu bazują na informacji zakodowanej w zmianach intensywności.
Podejście to nie pozwala jednak na detekcję elementów
sceny ( lub obiektów) różniących się tylko stopniem polaryzacji.
W celu usprawnienia systemów wizyjnych dla tego typu sceny stosowane
są metody analizy polaryzacji, znane jako metody PDI (Polarization
Difference Imaging). W proponowanym rozwiązaniu
zastosowano w układzie akwizycji specjalizowany filtr LC. Filtr LC
z cyrkularno-planarną strukturą posiada transmitancję reprezentowaną
przy pomocy zbioru funkcji ortogonalnych. W artykule przedstawiono
zintegrowaną metodę przetwarzania i analizy obrazów
spolaryzowanych w celu wydobycia informacji polaryzacyjnej.
Słowa kluczowe: ciekłe kryształy w aplikacjach, PDI (Polarization
Difference Imaging), przetwarzanie obrazów

GIBKI J., ŁUKASIAK L., JAKUBOWSKI A.: Charakteryzacja tranzystorów
typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk
prądowo-napięciowych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 24
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów i identyfikacji podstawowych
parametrów statycznych tranzystorów typu FinFET. Szczególną
uwagę zwrócono na wielkości prądu drenu w stanie słabej inwersji
i prądu upływności bramki ważnych z punktu widzenia wytwarzania
szybkich i energooszczędnych układów scalonych.
Słowa kluczowe: FinFET, napięcie progowe, prąd bramki

KALENIK J., KIEŁBASIŃSKI K., KISIEL R., JAKUBOWSKA M.,
SZMIDT J.: Stabilność wybranych właściwości bezołowiowych
połączeń lutowanych w grubowarstwowych układach hybrydowych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 27
Autorzy zaprezentowali wyniki badań stabilności połączeń lutowanych
wykonanych lutami bezołowiowymi w grubowarstwowych układach
hybrydowych. Połączenia zostały wykonane pomiędzy końcówkami
elementów SMD w obudowach 1206, a polami lutowniczymi wykonanymi
techniką grubowarstwową na podłożu ceramicznym. Autorzy
zbadali rezystancję połączeń lutowanych oraz ich wytrzymałość mechaniczną.
Połączenia zostały poddane starzeniu w temperaturze
125°C. Wytrzymałość mechaniczna starzonych połączeń lutowanych
wykonanych lutami bezołowiowymi na palladowo-srebrowych polach
lutowniczych była znacznie niższa niż wytrzymałość tych połączeń na
srebrowych i platynowo-srebrowych polach lutowniczych.
Słowa kluczowe: stabilność połączeń lutowanych, układy hybrydowe,
układy grubowarstwowe, luty bezołowiowe

KALISZ M., BECK R.B.: Modelowanie rozkładu energetycznego
jonów w plazmie w. cz. przez dopasowanie teoretycznych profili
poimplantacyjnych do profilu uzyskanego z pomiarów SIMS.
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 37
W poniższym artykule przedstawiona zostanie nowa metoda szacowania
energii jonów i rozkładu ich gęstości w plazmie, podczas procesu
trawienia plazmowego RIE w plazmie CF4. Metoda ta łączy
w sobie eksperyment technologiczny z komputerowo przeprowadzoną
symulacją procesu implantacji. W celu oszacowania energii jonów
fluoru i rozkładu ich gęstości w plazmie, kształt profilu rozkładu jonów
fluoru otrzymany z pomiaru SIMS porównany został z profilami
rozkładu jonów fluoru otrzymanymi z procesu symulacji jego implantacji.
Symulacja ta przeprowadzona została w programie SRIM.
W wyniku przeprowadzonego procesu odwzorowywania, z dużej
grupy energii implantacji otrzymanych z procesu symulacji, wybrane
zostało pięć, które poprawnie odwzorowywują kształt profilu zmierzonego
za pomocą SIMS. Na ich podstawie wyliczony został strumień
jonów fluoru, biorących udział w procesie trawienia plazmowego
RIE, przy zadanych jego parametrach.
Słowa kluczowe: plazma wysokiej częstotliwości, bardzo płytka implantacja
jonów, profile rozkładu fluoru, reaktywne trawienie jonowe
(RIE)

JAWORSKI Z.: Niskomocowy specjalizowany układ scalony do
detekcji tachykardii z przeznaczeniem do wszczepialnych defibrylatorów
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 40
Wszczepialny kardiowerter-defibrylator jest urządzeniem elektronicznym
ratującym życie u chorych, u których występują groźne dla życia
zaburzenia rytmu serca. Algorytmy detekcji zaburzeń rytmu stosowane
w istniejących defibrylatorach często prowadzą do niepotrzebnych
interwencji, które zawsze są bolesne dla pacjenta, a każda
z nich skraca czas życia baterii.
Prace prowadzone w Instytucie Mikroelektronik i Optoelektroniki
Politechniki Warszawskiej, wraz z partnerami z Francji, Niemiec i Polski,
doprowadziły do opracowania nowego algorytmu diagnozowania
tachykardii, który cechuje się bardzo dużą zdolnością do rozróżniania
stanów wymagających interwencji od nieszkodliwych zaburzeń rytmu
serca. Algorytm został zaimplementowany jako specjalizowany układ
scalony w technologii AMS C35B3, o wymiarze charakterystycznym
0,35 ľm i napięciu zasilania 3,3 V. Średni pobór mocy wynosi mniej
niż 10 ľW.
Słowa kluczowe: specjalizowany układ scalony, kardioweter-defibrylator,
moc w układach scalonych CMOS

MOSSAKOWSKA-WYSZYŃSKA A.: Model generacji promieniowania
w laserach DBR z ośrodkiem w postaci planarnego
światłowodu fotonicznego
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 46
W pracy zaprezentowano po raz pierwszy analizę generacji promieniowania
w laserach DBR z ośrodkiem w postaci planarnego
światłowodu fotonicznego. Zaproponowano ogólny model działania
wymienionych laserów, uwzględniający zarówno podłużny, jak i poprzeczny
rozkład pola w rezonatorze otoczonym zwierciadłami wykonanymi
w postaci jednowymiarowych kryształów fotonicznych.
Korzystając z metody opartej na bilansie mocy w strukturze i przybliżeniu
rozkładów progowych, uzyskano analityczny związek pomiędzy
małosygnałowym wzmocnieniem, a mocą wyjściową
i charakterystycznymi parametrami rozpatrywanego układu laserowego.
Zaprezentowano charakterystyki laserowe ilustrujące wpływ
parametrów zwierciadeł wykonanych w postaci jednowymiarowych
kryształów fotonicznych na znormalizowany współczynnik małosygnałowego
wzmocnienia. Zaproponowany rodzaj struktur laserowych
charakteryzuje się większą mocą wyjściową niż klasyczne struktury
falowodowe.
Słowa kluczowe: jednowymiarowy kryształ fotoniczny, rezonator
DBR, laser planarny

SUTKOWSKI M., GARBAT P., WALCZAK A.: Polaryzacyjny system
analizy obrazów z filtrem ciekłokrystalicznym
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 50
W pracy przedstawiono nowatorski element polaryzacyjny, jakim jest
spektralno-polaryzacyjny filtr ciekłokrystaliczny. Zaprezentowano i
omówiono budowę systemu obrazowania z wykorzystaniem tego elementu.
Zaproponowano metodę numerycznej analizy obrazów spolaryzowanych
do detekcji obiektów posiadających cechy
polaryzacyjne. Zaprezentowano także przykładowe wyniki eksperymentalne.
Słowa kluczowe: ciekłe kryształy, analiza obrazów, polaryzacja
różnicowa

KLIMCZAK M., PIRAMIDOWICZ R., MALINOWSKI M.: Badanie
emisji krótkofalowej w domieszkowanych jonami Nd3+ szkłach niskofononowych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 52
Praca stanowi podsumowanie prowadzonych badań właściwości emisyjnych
szkieł fluorocyrkonowych (ZBLAN) domieszkowanych jonami
Nd3+ w stosunkowo słabo zbadanym zakresie spektralnym fioletu i bliskiego
UV. Zakres pracy obejmuje w szczególności badania i analizę
charakterystyk absorpcji i emisji oraz widm wzbudzeniowych, jak również
analizę dynamiki fluorescencji wysokoenergetycznych poziomów
metastabilnych jonu neodymu w szkle ZBLAN o różnych koncentracjach
domieszki oraz zidentyfikowanie i analizę procesów konwersji wzbudzenia
umożliwiających uzyskanie emisji antystokesowskiej w zakresie
krótkofalowym.
Słowa kluczowe: ZBLAN, neodym, emisja krótkofalowa

KWIETNIEWSKI N., SOCHACKI M., SZMIDT J., GUZIEWICZ M.,
KAMIŃSKA E., PIOTROWSKA A.: Wpływ procesów przygotowania
podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky'ego
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 57
W ramach prowadzonych badań wykonane zostały diody Schottky'ego
Ir/4H-SiC, IrO2/4H-SiC, Ni/4H-SiC. W artykule opisany został wpływ
różnych procesów przygotowania powierzchni podłoża z węglika
krzemu (4H-SiC) na parametry elektryczne uzyskanych diod. Sprawdzono
skuteczność stosowanej powszechnie w technologii krzemowej
procedury RCA, wpływ kąpieli w buforowym roztworze kwasu
fluorowodorowego (HFbuff), użyteczność roztworów czyszczących na
bazie kwasu siarkowego (H2SO4) oraz wpływ reaktywnego trawienia
jonowego (RIE) powierzchni węglika krzemu. Zmierzone charakterystyki
prądowo-napięciowe (I-V) diod Schottky'ego przeanalizowane
zostały pod kątem korelacji obliczonych parametrów elektrycznych
z efektami zaproponowanych metod przygotowania powierzchni.
Trawienie RIE obniża w każdym przypadku efektywną wartość bariery
Schottky'ego. Istnieje możliwość jednoczesnego obniżenia prądu
zaporowego po zastosowaniu odpowiednich parametrów procesu trawienia.
Omawiany efekt jest korzystny dla ograniczenia statycznych
strat mocy zarówno przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia
jak i w kierunku zaporowym. Wykazano, że zastosowanie trawienia
RIE może wpływać korzystnie na obniżenie rezystancji charakterystycznej
diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia.
Słowa kluczowe: węglik krzemu, przygotowanie powierzchni, diody
Schottky'ego, trawienie RIE, Ir, IrO2, Ni

FIREK P., WERBOWY A., KWIETNIEWSKI N., SZMIDT J.,
OLSZYNA A., ĆWIL M.: Wytwarzanie, trawienie plazmowe i własności
cienkich warstw BaTiO3 dla zastosowań elektronicznych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 62
Warstwy tytanianu baru o grubości rzędu 100 nm wytworzone zostały
na podłożach krzemowych (Si (100) typ n, ? = 1-20 ?cm) technikami
ablacji targetu BaTiO3 + La2O3 (2% wt.) w plazmie impulsowej
oraz rozpylania w plazmie o częstotliwości radiowej (13,56 MHz).
Powłoki zostały scharakteryzowane metodami badania ciała
stałego, takimi jak: skaningowa mikroskopia elektronowa (SEM), mikroskopia
sił atomowych (AFM) oraz spektroskopia mas jonów wtórnych
(SIMS), co umożliwiło określenie morfologii powierzchni oraz
składu wytworzonego materiału [6].
W celu scharakteryzowania wybranych własności elektrofizycznych
osadzonych warstw wytworzone zostały struktury MIS (metal-insulatorsemiconductor).
Na podstawie pomiarów ich wysokoczęstotliwościowych
charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-V) dla różnych częstotliwości
oraz charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V) wyznaczono wartości
przenikalności dielektrycznej (maks. 25), rezystywności (maks.
5-1013 ?cm) i wytrzymałości elektrycznej (maks. 4 MVcm-1) warstw oraz
określono mechanizmy transportu ładunku elektrycznego przez materiał.
Przeprowadzone zostały również procesy selektywnego trawienia
badanych warstw w plazmie o częstotliwości radiowej (RF) przy
różnych wartościach mocy RF oraz różnym składzie mieszaniny trawiącej
(Ar + CF4). Największą szybkość procesu (30 nm/min) obserwowano
dla maksymalnej dostępnej mocy (300 W) i przy użyciu
czystej atmosfery Ar.
Słowa kluczowe: tytanian baru, osadzanie w plazmie impulsowej,
rozpylanie w plazmie o częstotliwości radiowej, morfologia powierzchni,
właściwości elektryczne, trawienie plazmowe

KOBA M., SZCZEPAŃSKI P.: Teoria wielomodowej pracy lasera
z ośrodkiem aktywnym w postaci kryształu fotonicznego o sieci
kwadratowej
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 69
W artykule przedstawiono półklasyczny opis generacji promieniowania
w laserze posiadającym ośrodek aktywny w postaci kryształu fotonicznego.
Model uwzględnia pracę zarówno jednomodową, jak i wielomodową.
Przedstawiono warunki stabilności generacji dla struktury laserowej
posiadającej aktywny kryształu fotonicznego o sieci kwadratowej.
Słowa kluczowe: kryształ fotoniczny, bilans energetyczny, praca jednomodowa.

KAMIŃSKI W., KĘSIK J., WARDA P., OSINIAK M., KASPRZAK J.:
Jonowy laser argonowo-kryptonowy do zastosowań w okulistyce
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 79
W artykule przedstawiono możliwości wykorzystania w okulistyce jonowego
lasera argonowo-kryptonowego pracującego przy pobudzaniu
impulsowym. Laser tego typu umożliwia generację
promieniowania na typowych dla koagulatorów okulistycznych liniach
widmowych laserów argonowych i kryptonowych o długościach fali
488, 514 i 647 nm. Pozwala ponadto na generację promieniowania na
dwóch liniach o długościach fal zbliżonych do II harmonicznej lasera
Nd:YAG (528 i 530 nm) oraz daje możliwość generacji promieniowania
na dodatkowej żółtej linii kryptonu o długości fali 568 nm. Impulsowy
tryb zasilania lasera pozwala na osiągnięcie wystarczających
mocy promieniowania laserowego na najważniejszych, z punktu widzenia
zastosowań klinicznych, liniach widmowych.
Słowa kluczowe: laser jonowy, laser medyczny, terapia laserowa,
diagnostyka laserowa, okulistyka, fotokoagulacja

JASIŃSKI J., OSINIAK M.: Energooszczędność w bezprzewodowych
sieciach rozproszonych czujników
Elektronika (XLIX), no 9/2008, p. 82
Energooszczędność systemów pomiarowych, takich jak bezprzewodowe
sieci czujników typu Smart Dust, jest niezwykle istotna w sytuacjach,
w których nie mogą być zastosowane alternatywne źródła
energii (np. odnawialnej). Należy wówczas dołożyć wszelkich starań,
aby możliwie ograniczyć pobór mocy w celu wydłużenia czasu pracy
sieci. Niniejszy artykuł zawiera wyniki badań przeprowadzonych na
modelowej sieci czujników pod względem oszczędzania energii.
Słowa kluczowe: sieć bezprzewodowa, mot, czujnik

NIEWIŃSKI M.: Modelowanie przepływu gazu z uwzględnieniem
zderzeń międzycząsteczkowych metodą DSMC
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 88
W pracy omówiono podstawy symulacyjnej metody DSMC -pozwalającej
wyznaczyć wybrane parametry makroskopowe przepływu
gazu - charakteryzującej się wykorzystaniem metod probabilistycznych
do modelowania zderzeń międzycząsteczkowych oraz zderzeń
gaz - otoczenie. Ponadto, przedstawiono wstępne wyniki obliczeń
symulacyjnych przewodności przewodów cylindrycznych (1 ? L/R ? 8
gdzie L-długość, R-promień wlotowy przewodu) w zakresie blisko
molekularnego przepływu gazu (dla liczby Knudsena 0,1 ? Kn ? 0,2).
Rezultaty te porównano z wynikami uzyskanymi na drodze analitycznej
i dla przewodów długich uzyskano ich zgodność na poziomie
5%.
Słowa kluczowe: metoda Monte Carlo, przewodność przewodu cylindrycznego,
przepływ blisko molekularny gazu

ŁUKASIAK L., TOMASZEWSKI D., SAWICKA A., GŁUSZKO G.,
IWANOWICZ M., JAKUBOWSKI A.:Modelowanie prądu pompowania
ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo
cienką warstwą aktywną
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 92
W pracy przeanalizowano wpływ grubości warstwy aktywnej oraz
tlenku bramkowego na prąd pompowania ładunku w dwubramkowych
strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną. Sprawdzono
także, czy istnieje możliwość oddzielnego badania każdej powierzchni
granicznej za pomocą metody pompowania ładunku.
Słowa kluczowe: dwubramkowa struktura MOS, pompowanie
ładunku, pułapki powierzchniowe

MAZURAK A., WALCZAK J., MAJKUSIAK B.: Materiały o dużej
stałej dielektrycznej w tranzystorach MOS
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 96
W artykule przedstawiono alternatywne dla SiO2 materiały dielektryka
bramkowego tranzystora MOS. Omówiono kryteria selekcji materiałów
o dużej stałej dielektrycznej (high-K). Zaproponowano tunelową
grubość tlenku TOT materiału o dużej stałej dielektrycznej jako
miarę redukcji prądu tunelowego dla określonej równoważnej grubości
tlenku EOT. Zaprezentowano wyniki symulacji tunelowego
prądu elektronów w strukturach zawierających różne warstwy dielektryczne
high-K i ultracienką przypowierzchniową warstwę SiO2.
Słowa kluczowe: High-K, MOS, prąd tunelowy bramki

PLESKACZ W. A., WIELGUS A., KASPROWICZ D., BOREJKO T.,
KUŹMICZ W.: Charakteryzacja komórek standardowych CMOS
dla generacji wektorów testowych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 102
W artykule przedstawiono metodę generacji testów wykrywających
uszkodzenia układów cyfrowych CMOS spowodowane zwarciami
ścieżek. Zadanie to wymaga analizy topografii układu przy znajomości
statystyki wielkości defektów powodujących zwarcia. W rezultacie
każdemu wektorowi wejściowemu zostaje przypisane
prawdopodobieństwo wykrycia przez niego uszkodzenia układu. Zaprezentowano
efekty charakteryzacji bibliotek komórek standardowych
(kombinacyjnych i sekwencyjnych) AMS CMOS 0,8 i 0,35 ľm
dla testowania napięciowego i prądowego (IDDQ). Wyniki charakteryzacji
pojedynczych komórek mogą być następnie wykorzystane
przez hierarchiczne algorytmy do generacji testów dla układu zsyntezowanego
z użyciem tych komórek.
Słowa kluczowe: testowanie układów cyfrowych, generacja wektorów
testowych, testowanie prądowe, IDDQ, defekty fizyczne, uszkodzenia
zwarciowe

KACZKAN M., PAWLAK D.: Właściwości emisyjne eutektyku
Tb3Sc2Al3O12-TbScO3 o periodycznym uporządkowaniu
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 112
W pracy zaprezentowane zostały wyniki i analiza badań spektroskopowych
przeprowadzonych dla eutektyku Tb3Sc2Al3O12-TbScO3
(TSAG-TSP) o periodycznej strukturze włóknowej oraz dla porównania
dla monokryształów Tb3Sc2Al3O12 (TSAG) i TbScO3 (TSP). Za
pomocą rozdzielczej w czasie techniki pomiaru zostały wyselekcjonowane
spektralnie i scharakteryzowane grupy jonów Tb3+ należące do
poszczególnych faz składowych eutektyku. Wyniki wykazały znaczne
różnice w stałych zaniku luminescencji w eutektyku w stosunku do
kryształów objętościowych o takiej samej strukturze krystalicznej. Zostało
zaobserwowane i opisane zjawisko wygaszania luminescencji
z poziomu 5D4 jonu Tb3+ we wszystkich badanych materiałach.
Słowa kluczowe: eutektyk, Tb3Sc2Al3O12, TbScO3, terb, Tb3+, wygaszanie
luminescencji

DAWIDCZYK J.: Mieszanie opto-mikrofalowe w układach z fotodiodami
PIN
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 116
W artykule poruszono problem jednego ze zjawisk nieliniowych zachodzących
w fotodiodach PIN - mieszania opto-mikrofalowego. Zaprezentowano
w nim w pełni nieliniowy model obwodowy fotodiody
PIN, w którym elementy są nieliniowo zależne od napięcia, mocy
optycznej i częstotliwości, weryfikację pomiarową modelu, oraz wyniki
symulacji pozwalające na określenie wpływu poszczególnych nieliniowości
na efektywność procesu miesznia.
Słowa kluczowe: mieszanie opto-mikrofalowe, nieliniowy model fotodiody
PIN

KUŹMICZ W., PFITZNER A., PIWOWARSKA E., KASPROWICZ D.:
Statyczny pobór mocy w nanometrowych układach scalonych
CMOS
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 119
Jedną z głównych zalet technologii CMOS w zastosowaniu do wytwarzania
cyfrowych układów scalonych był znikomy statyczny pobór
mocy. Jednak układy wytwarzane przy zastosowaniu najbardziej zaawansowanych
technologii, o długości kanału tranzystora poniżej
100 nm, nie mają już tej zalety. Tranzystory o takich długościach kanału
przewodzą dość znaczne prądy (zwane prądami upływu) nawet
w stanie wyłączenia. Artykuł omawia mechanizmy fizyczne przepływu
tych prądów, wskazuje na ich związki z konstrukcją i technologią tranzystorów,
a także zwraca uwagę na silny wpływ rozrzutów produkcyjnych
na całkowity statyczny pobór prądu przez cyfrowe układy
CMOS.
Słowa kluczowe: CMOS, prądy upływu, układy cyfrowe, rozrzuty produkcyjne

SAWICKA A., LUKASIAK L., JAKUBOWSKI A.: Modelowanie wybranych
efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze
MOS
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 123
Przeanalizowano wpływ uwzględnienia efektów krótkiego kanału (zależność
napięcia progowego od długości kanału, modulacja długości
kanału, zwiększenie gęstości ładunku w kanale indukowane napięciem
drenu) na dokładność modelowania charakterystyk prądowonapięciowych

dwubramkowego tranzystora MOS. Dokładność
opracowanego modelu zweryfikowano na podstawie porównania z
rezultatami symulacji numerycznych przeprowadzonych za pomocą
programu ATLAS.
Słowa kluczowe: dwubramkowy tranzystor MOS, efekty krótkiego
kanału, modulacja długości kanału, napięcie progowe, zwiększenie
ładunku w kanale indukowane napięciem dren-źródło

ŚMIETANA M., WERBOWY A., SZMIDT J.: Mikroelektroniczne i
optoelektroniczne przyrządy sensorowe z warstwami diamentowymi
i diamentopodobnymi
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 126
Praca przedstawia badania nad możliwością dostosowania technologii
wytwarzania czujnikowych struktur mikroelektronicznych i optoelektronicznych
do specyficznych wymagań narzucanych przez
procesy osadzania warstw diamentowych i diamentopodobnych.
Opracowano i zrealizowano złożone procesy technologiczne przygotowania
podłoży, a także osadzania i trawienia warstw węglowych, co
dało możliwość wytworzenia czujnikowych struktur światłowodowych
oraz tranzystorów FET z otwartą bramką. Dowiedziono, iż w przypadku
czujników światłowodowych warstwy diamentopodobne mogą
wielokrotnie zwiększać czułość wytworzonych przyrządów na zmiany
koncentracji związków chemicznych w roztworach wodnych.
Słowa kluczowe: tranzystory polowe, czujniki światłowodowe,
warstwy diamentowe i diamentopodobne

MROCZYŃSKI R., BECK R.B.: Technologia i zastosowanie
warstw tlenko-azotków krzemu wytwarzanych metodą PECVD do
struktur pamięciowych z podwójną warstwą dielektryczną
(SiOxNy-HfO2)
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, 131s.
W pracy przedstawiono nową strukturę bramkową, złożoną z dwóch
warstw dielektryka bramkowego – tlenko-azotku krzemu (SiOxNy)
oraz dwutlenku hafnu (HfO2), która mogłaby być wykorzystana w
strukturach nieulotnych pamięci półprzewodnikowych (NVSM).
Struktury MIS z SiOxNy wykazują duże zmiany napięcia płaskich
pasm (ok. 1,68 V), natomiast maksymalny ładunek możliwy do zmagazynowania
wynosi ok. 6-1012 [cm-2]. Dla porównania, struktura MIS
z warstwą referencyjną dwutlenku krzemu (SiO2) oraz dwutlenku hafnu
charakteryzuje się niestabilnym przebiegiem zmian napięcia płaskich
pasm pod wpływem napięcia stresującego, a wielkość zmian UFB wynosi
tylko ok. 0,27 V.
Zaprezentowane w niniejszej pracy wyniki, jako pierwsze w literaturze,
pokazują potencjalne możliwości wykorzystania ultracienkich
warstw tlenko-azotków wytwarzanych metodą PECVD w strukturach
nieulotnych pamięci półprzewodnikowych (NVSM)
Słowa kluczowe: tlenko-azotek krzemu, dwutlenek hafnu, PECVD,
CMOS, NVSM

GRABOWSKI M.: Zagadnienie efektu wewnętrznych sprzężeń
elektromagnetycznych w antenach falowodowo-szczelinowych
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 136
W artykule przedstawiono zagadnienie projektowania nierezonansowych
anten falowodowo–szczelinowych z uwzględnieniem wewnętrznych
sprzężeń elektromagnetycznych pomiędzy szczelinami.
W tym celu wykorzystano falową metodę analizy rozszerzoną o etap
korekcji uwzględniający wpływ różnych od rezonansowych długości
szczelin. Jako przykład przeanalizowano antenę ze szczelinami wyciętymi
ukośnie w węższej ściance prostokątnego falowodu. Wyniki
wpływu wewnętrznych sprzężeń elektromagnetycznych pomiędzy
szczelinami anteny falowodowo-szczelinowej na jej charakterystykę
promieniowania wyznaczone zostały poprzez porównanie wyników
uzyskanych zaproponowaną metodą falową z wynikami wyznaczonymi
metodą energetyczną, nieuwzględniającą wewnętrznych
sprzężeń elektromagnetycznych.
Słowa kluczowe: nierezonansowe anteny falowodowo-szczelinowe;
wewnętrzne sprzężenia elektromagnetyczne; metoda falowa; metoda
energetyczna

SĘDEK E., SZYMAŃSKI P.: Sześciobitowy monolityczny przesuwnik
fazy na pasmo S
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 140
W artykule opisano projekt sześciobitowego monolitycznego przesuwnika
fazy wykonanego na podłożu GaAs. Poszczególne bity przesuwnika
fazy wykonano w konfiguracji przełączanych filtrów.
Przedstawiono wyniki badań uzyskane dla układów wykonanych
w ramach pierwszej iteracji cyklu produkcyjnego.
Słowa kluczowe: Monolityczne Mikrofalowe Układy Scalone (MMIC),
przesuwniki fazy, mikrofale

NOWAKOWSKI W., CZAJKOWSKI R., MALIK P.: Analiza wpływu
kształtu i gęstości rastra CTP na cechy obrazu drukowanego. Zagadnienia
wstępne i zdefiniowanie pojęć
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 143
Przedstawiono podstawowe zagadnienia procesu digitalizacji obrazu
w cyfrowej przygotowalni offsetowej. Zdefiniowano podstawowe pojęcia
i sformułowano problem zależności jakości cyfrowej reprezentacji
obrazu od parametrów rastra.
Słowa kluczowe: raster, CTP, przetwarzanie obrazu

KACZMARCZYK A., KACPRZAK M.: Spójność modeli komputerowych
w inżynierii oprogramowania i inżynierii biznesu. Modele
UML
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 149
W artykule są omawiane różne aspekty spójności modeli wyrażonych
w języku UML, w szczególności w zastosowaniu do modelowo-zorientowanej
inżynierii oprogramowania: rodzaje niespójności, źródła,
sposoby badania oraz używane formalizmy i narzędzia, formułowanie
reguł spójności. Zapowiedziany jest komplementarny artykuł o spójności
modeli IDEF używanych w inżynierii biznesu.
Słowa kluczowe: spójność modeli komputerowych, inżynieria oprogramowania,
inżynieria biznesu, język UML

ZAWICKI I.: Przyrządy do oznaczania glukozy dla potrzeb medycznych.
Stan obecny i perspektywy dalszego rozwoju
Elektronika (XLIX), nr 9/2008, s. 154
W artykule omówiono: a) właściwości powszechnie dostępnych przyrządów
do pojedynczych pomiarów glukozy (glukometrów) oraz tendencje
rozwojowe, b) zagadnienie dokładności pomiarów glukozy, c)
dopuszczone w celach badawczych, wybrane przyrządy do monitorowania
i ciągłych pomiarów glukozy, d) stan zaawansowania prac
nad przyrządami do pomiarów nieinwazyjnych; e) krótki przegląd nowych
propozycji rozwiązań czujników glukozy z wykorzystaniem nanotechnologii.
Słowa kluczowe: glukometry, błędy pomiarów, pomiary nieinwazyjne,
nanorurki węglowe