Spis treści zeszytu Elektronika (XLVIII) nr 7/2007

Translacja pętli for języka VHDL do postaci równań boolowskich
(Translation of VHDL for loop statement into Boolean equation
form) - W. Bielecki, M. Radziewicz ... 5

Stream-based cores mapping strategies dedicated to Networks
on Chip architecture (Odwzorowanie rdzeni wykorzystujących
strumieniową transmisję danych do architektury sieci wewnątrz-
układowej) - T. Mąka, P. Dziurzański . . . 8

Fast implementation of multi-population (1+1)-ES (Szybka implementacja
algorytmu wielopopulacyjnych strategii ewolucyjnych
(1+1)-ES) - J. Kołodziejczyk, A. Tomaszewska . . . 11

Network-on-Chip-based realization of a lossless compression
system (Realizacja systemu bezstratnej kompresji danych przy
wykorzystaniu sieci wewnątrzukładowych) - P. Dziurzański,
G. Ulacha . . . 15

TARGI, WYSTAWY, KONFERENCJE (FAIRS, EXHIBITIONS, CONFERENCES) . . . 19

The multilevel signal representation in discrete base of cosine
functions (Wielopoziomowa reprezentacja sygnałów w dyskretnej
bazie funkcji kosinusowych) - A. Tariov, D. Majorkowska-Mech . . . 20

System-level model of hardware assisted still image compression
based on two dimensional principal component analysis
(Modelowanie na poziomie systemu sprzętowego wspomagania
kompresji obrazów nieruchomych wykorzystujące dwuwymiarową
analizę komponentów głównych) - P. Forczmański, P. Dziurzański . . . 22

Synthesis of logic circuits for FPGA (Synteza schematów logicznych
FPGA) - Y. Plushch, Chemeris A., S. Reznikova . . . 25

High quality analog mixer in reconfigurable system (Analogowy
mikser wysokiej jakości w systemie rekonfigurowalnym)
- B. Olech, M. Kapruziak . . . 28

Uniwersalny moduł sterowania LLRF do akceleratora liniowego
FLASH (Universal control module for FLASH linear accelerator
LLRF control) - P. Strzałkowski, W. Koprek, K.T. Poźniak,
R. Romaniuk . . . 31

Urządzenie do szybkiej obróbki termicznej (RTA) (Rapid thermal
annealing (RTA) system) - W. Macherzyński, M. Tłaczała . . . 37

Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs, wykonywanych
w technologii MBE na ich parametry transportu
ładunków elektrycznych (The influence of thickness the MBE
InAs/GaAs layers on the electron transport) - A. Wolkenberg,
T. Przesławski . . . 39

Struktura i właściwości nanokrystalicznych warstw kompozytowych
Ni/Si3N4 wytwarzanych prądem pulsacyjnym (Structure
and properties of nanoncrystalline composite layers Ni/Si3N4 produced
by pulse currents) - M. Trzaska, M. Kowalewska . . . 45

Analityczny model gęstości stanów w strukturze jednowymiarowego
kryształu fotonicznego (Analytical model of density of
states in one-dimensional photonic crystal structure) - A. Rudziński,
P. Szczepański, A. Tyszka-Zawadzka . . . 53

TECHNIKA SENSOROWA: Czujnik z akustyczną falą powierzchniową
do oznaczania amoniaku (Surface acoustic
wave sensor for determination of ammonia) - T. Wróbel,
E. Dąbrowska, J. Sadura . . . 55

ograniczenia częstotliwościowe górnoprzepustowych eliptycznych
struktur bikwadratowych z rzeczywistym wzmacniaczem
oPA (Frequency limitations of high-pass elliptic biquadratic
structures with real amplifier OPA) - T. Adrikowski, M. Pasko . . . 59

Tadeusz Cholewicki (1907-1988) . . . 62

NOWOŚCI TECHNIKI (TECHNOLOGY NEWS) . . . 65

Z DZIAŁALNOŚCI STOWARZYSZENIA SEP (ASSOCIATION ACTIVITIES SEP) . . . 68

Streszczenia artykułów • Summaries of the articles

BIELECKI W., RADZIEWICZ M.: Translacja pętli for języka VHDL
do postaci równań boolowskich
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 5
Zaprezentowano metodę translacji pętli for języka VHDL do postaci
równań boolowskich. Omówiono problemy, jakie można natrafić w
tym procesie, a następnie zaprezentowano uniwersalny algorytm.
Algorytmy te są przeznaczone do tworzenia oprogramowania wspomagającego
projektowanie układów scalonych. Dokonano weryfikacji
rozwiązań przy użyciu wybranych przykładów testowych.
Słowa kluczowe: VHDL, FPGA, synteza logiczna

MĄKA T., DZIURZAŃSKI P.: odwzorowanie rdzeni wykorzystujących
strumieniową transmisję danych do architektury sieci wewnątrzukładowej
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 8
W artykule została wprowadzona nowa miara jakości rozmieszczenia
bloków własności intelektualnej w strukturze sieci wewnątrzukładowej.
Proponowany parametr, nazwany współczynnikiem krotności, w
zależności od parametru może zostać wykorzystany do otrzymania
struktury ze zmniejszoną liczbą połączeń lub poziomem konfliktów.
Badania eksperymentalne, przeprowadzone dla dekodera mowy
iLBC, potwierdzają użyteczność proponowanego podejścia.
Słowa kluczowe: sieci wewnątrzukładowe, algorytmy stumieniowe,
transfery wewnątrzukładowe, współczynnik krotności

KoŁoDZIEJCZYK J., ToMASZEWSKA A.: Szybka implementacja
algorytmu wielopopulacyjnych strategii ewolucyjnych (1+1)-ES
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 11
Zaprezentowano algorytm wielopopulacyjnych strategii ewolucyjnych
(1-1)-ES. Jedną z cech ES jest bardzo długi czas obliczeń dla zadań
opisanych dużą liczbą zmiennych i zdefiniowanych w szerokiej
dziedzinie poszukiwań. W artykule zaprezentowano sprzętową implementację
algorytmu ES na GPU. Dzięki wykorzystanej architekturze
SIMD i zrównolegleniu obliczeń za pomocą procesora graficznego,
przedstawione podejście jest efektywne nawet w przypadku rosnącego
rozmiaru problemu optymalizacyjnego.
Słowa kluczowe: strategie ewolucyjne, wspomaganie GPU, GPG
PU, optymalizacja, ciągła przestrzeń poszukiwań

DZIURZAŃSKI P., ULACHA G.: Realizacja systemu bezstratnej
kompresji danych przy wykorzystaniu sieci wewnątrzukładowych
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 15
Opisano nowy algorytm i implementację architektury dedykowanej
bezstratnej kompresji, wykorzystującej metodę mieszanych predyktorów.
Przedstawiona implementacja stosuje sieci wewnątrzukładowe
z przełączaniem pakietów. Badania eksperymentalne pokazują, że
przedstawiony algorytm jest bardziej efektywny niż inne jednoprzebiegowe
metody mieszania predyktorów, a zaproponowana implementacja
sprzętowa jest dużo szybsza niż jej programowy odpowiednik
i wymaga znacznie mniej traktów połączeniowych niż podejście z
dedykowanymi połączeniami.
Słowa kluczowe: sieci wewnątrzukładowe, kompresja bezstratna,
mieszanie predyktorów, SystemC

TARIoV A., MAJoRKoWSKA-MECH D.: Wielopoziomowa reprezentacja
sygnałów w dyskretnej bazie funkcji kosinusowych
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 20
Przedstawiono oryginalne podejście do wielorozdzielczej reprezentacji
sygnału, nie za pomocą technologii falkowych, ale przy zastosowaniu
dyskretnych baz ortogonalnych. Zaproponowane zostały procedury
obliczeniowe wielopoziomowej reprezentacji sygnału w bazie
funkcji kosinusowych. Zastosowanie tej bazy pozwala na zmniejszenie
czasu obliczeń przy realizacji dekompozycji sygnału, przy zachowaniu
dokładności aproksymacji.
Słowa kluczowe: wielopoziomowa reprezentacja sygnałów, dyskretna
transformata kosinusowa DCT, dyskretna transformata falkowa DWT

FoRCZMAŃSKI P., DZIURZAŃSKI P.: Modelowanie na poziomie
systemu sprzętowego wspomagania kompresji obrazów nieruchomych
wykorzystujące dwuwymiarową analizę komponentów głównych
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 22
Przedstawiono technikę stratnej kompresji obrazów statycznych wykorzystujacą
dwuwymiarową analizę komponentów głównych. Algorytm
składa się z trzech etapów: kodowania transformacyjnego bloków
obrazu, realizującego redukcję wymiarowości przestrzeni cech,
kwantyzacji uzyskanych współczynników i opcjonalnego kodowania
entropijnego. Pomimo tego, że uzyskiwany współczynnik kompresji
jest porównywalny do innych znanych algorytmów, opracowana metoda
daje obrazy o dużo lepszej jakości wizualnej. Pokazano również
szczegóły implementacyjne do układów reprogramowalnych.
Słowa kluczowe: analiza komponentów głównych (PCA), transformacja
Karhunen-Loeve, kompresja obrazów, systemC

PLUSHCH Y., CHEMERIS A., REZNIKoVA S.: Synteza schematów
logicznych FPGA
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 25
W artykule rozpatruje się metodę syntezy urządzeń logicznych. Metoda
ta generuje opisy urządzenia o strukturze macierzowej składającego
się z elementów typu {AND, NOT, ADDER} na podstawie
funkcjonalnych zależności analitycznych oraz tabularycznych. Przedstawiono
przykłady i algorytm do generowania opisów urządzenia w języku VHDL.
Słowa kluczowe: projektowanie schematów logicznych, schematy
kombinacyjne, FPGA, VHDL, bit transformacji, funkcjonalne urządzenia cyfrowe

oLECH B., KAPRUZIAK M.: Analogowy mikser wysokiej jakości
w systemie rekonfigurowalnym
Elektronika 9XLVIII), nr 7/2007, s. 28
Rekonfigurowalne układy cyfrowe są dużo bardziej zaawansowane
technologicznie i metodycznie oraz rozpowszechnione w porównaniu
z rekonfigurowalnymi rozwiązaniami typu analogowego - wspomaganymi
obecnie głównie przez układy FPAA o ograniczonej częstotliwości
pracy oraz przez pewne koncepcje typu FPMA. Problem sprowadza
się do możliwości uzyskania modyfikowalnej funkcjonalności w
analogowym torze wysokiej częstotliwości zachowując odpowiednią
integrację systemu przy akceptowalnych kosztach. Prezentowany
artykuł podejmuje ten problem opierając się na przykładzie miksera
analogowego oraz pewnych obserwacjach poczynionych podczas realizacji
toru radiowego pozyskiwania danych. Autorzy proponują zastosowanie
podejścia hybrydowego dla realizacji analogowego toru
wysokiej częstotliwości, poprzez uzupełnienie rekonfigurowalnych
elementów o charakterze cyfrowym specjalizowanymi elementami
częstotliwości radiowych.
Słowa kluczowe: system rekonfigurowalny, współbieżne projektowanie
analogowo-cyfrowe, radioelektronika

STRZAŁKoWSKI P., KoPREK W., PoŹNIAK K.T., RoMANIUK R.:
Uniwersalny moduł sterowania LLRF do akceleratora liniowego FLASH
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 31
Zaprezentowano autorskie rozwiązanie uniwersalnego modułu systemu
LLRF do sterowania nadprzewodzącymi wnękami rezonansowymi
w akceleratorze FLASH. Omówiono modularną konstrukcje
modułu, który zawiera część cyfrową na platformie bazowej oraz
wymienną część analogową na płytkach osadzanych. Scharakteryzowano
strukturę funkcjonalną modułu, a szczególnie implementację
FPGA wraz z konfiguracją oraz blok rozszerzeń do osadzanych płytek
analogowych. Przedstawiono konstrukcję i wybrane zagadnienia
realizacji PCB płyty bazowej. Omówiono zakres zastosowań modułu
w systemie LLRF akceleratora FLASH i podano przykładowe wyniki
pomiarów jakościowych.
Słowa kluczowe: FPGA, systemy pomiarowe, lasery na swobodnych
elektronach, DESY

MACHERZYŃSKI W., TŁACZAŁA M.: Urządzenie do szybkiej obróbki
termicznej (RTA)
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 37
Formowanie i wtapianie kontaktów metalicznych, szczególnie do
półprzewodników z szeroką przerwą wzbronioną, wymaga krótkich
czasów procesu oraz wysokich temperatur. Klasyczne wygrzewanie
w piecu oporowym nie spełnia wymagań zaawansowanej elektroniki.
Dlatego opracowano i wykonano urządzenie RTA do szybkiej
obróbki termicznej. Szeroki zakres temperatur pracy urządzenia
(200...1000°C) oraz w pełni programowalny profil temperatury powodują,
że jest to doskonałe urządzenie badawcze o szerokim spektrum
aplikacji. W urządzeniu zastosowano od 1 do 14 halogenowych promienników
podczerwieni o mocy 1,6 kW każdy, promienniki z powłoką
tlenku aluminium zwiększającą sprawność przekazywania mocy, reaktor
od strony wlotu gazu, zakończony jest specjalną głowicą umożliwiającą
jednorodne wymieszanie gazów technologicznych. Szybkie
chłodzenie próbki zapewnia podstawa grafitowa o małej masie i wymiarach
30 × 6 × 2 mm.
Słowa kluczowe: szybka obróbka termiczna, RTA

WoLKENBERG A., PRZESŁAWSKI T.: Wpływ grubości epitaksjalnych
warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE,
na ich parametry transportu ładunków elektrycznych
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 39
Otrzymywanie czystych epitaksjalnych warstw InAs/GaAs o dużej perfekcji
krystalograficznej jest możliwe metodą epitaksji z wiązek molekularnych
[2]. W warstwach tych obserwowane jest anomalne zachowanie
RH(T) tj. występowanie maksimum w temperaturach około 50K i spadek
wartości poniżej tej temperatury, co odpowiada anomalnej zależności
nH(T). W warstwach InAs w niskich temperaturach w wyniku występowania
naprężeń (skutkiem niedopasowania sieciowego) występują anomalne
zjawiska transportu [3]. Stwierdzono w przypadku występowania
anomalnych wartości RH w InAs, że dla poprawnego rozwiązania równania
neutralności należy dodać do koncentracji elektronów dodatkowy
składnik X, związany ze stanami typu donorowego i akceptorowego [2].
Składnik X mogą stanowić domieszki o różnych energiach aktywacji położonych
pod dnem lub nieco ponad dnem pasma przewodnictwa.
Słowa kluczowe: InAs/GaAs, epitaksja z wiązek molekularnych
(MBE), transport ładunku, hopping po stanach donorowych, hopping
po stanach międzypowierzchni podłoże-warstwa

TRZASKA M., KoWALEWSKA M.: Struktura i właściwości nanokrystalicznych
warstw kompozytowych Ni/Si3N4 wytwarzanych prądem pulsacyjnym
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 45
Zaprezentowano wyniki badań wpływu struktury warstw kompozytowych
Ni/Si3N4 wytwarzanych metodą elektrokrystalizacji na ich właściwości.
Badania obejmowały warstwy kompozytowe o mikrokrystalicznej
osnowie Ni oraz mikrometrycznych wymiarach cząstek ceramicznej
fazy dyspersyjnej Si3N4, a także warstwy o nanokrystalicznej strukturze
osnowy i nanometrycznych wymiarach cząstek fazy ceramicznej. W
celach porównawczych badano również warstwy niklowe o strukturach
mikro- i nanokrystalicznych. Przedstawiono wyniki analizy rentgenowskiej
składu fazowego ceramicznego proszku Si3N4 stosowanego
do wytwarzania warstw kompozytowych a morfologię fazy ceramicznej
i wytworzonych warstw niklowych i kompozytowych wyznaczono metodą
elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM). Badania warstw Ni
oraz warstw kompozytowych Ni/Si3N4 wykazały, że zarówno zwiększenie
stopnia rozdrobnienia struktury materiału osnowy, jak i zmniejszenie
wielkości cząstek dyspersyjnej fazy ceramicznej zwiększa twardość
materiału warstw oraz zmniejsza szybkość procesów korozyjnych.
Słowa kluczowe: materiały nanokrystaliczne, materiały mikrokrystaliczne,
materiały kompozytowe, niklowe warstwy powierzchniowe

RUDZIŃSKI A., SZCZEPAŃSKI P., TYSZKA-ZAWADZKA A.: Analityczny
model gęstości stanów w strukturze jednowymiarowego
kryształu fotonicznego
Elektronika (XLVIII), nr 7/2007, s. 49
Przedstawiono prosty, w pełni analityczny model gęstości stanów
w strukturze jednowymiarowego kryształu fotonicznego. Prezentowany
model umożliwia analizę wpływu parametrów i defektów kryształu
na jego właściwości, dzięki czemu stanowi narzędzie odpowiednie
zarówno do badania, jak i projektowania tego typu struktur dla różnych
zastosowań. W ogólnej postaci może być on zastosowany do
obliczeń dla dowolnych struktur wielowarstwowych.
Słowa kluczowe: gęstość stanów, kryształ fotoniczny, przerwa fotoniczna,
emisja spontaniczna, defekt kryształu fotonicznego