Spis treści zeszytu Elektronika rok XLIX nr 7-8/2008
Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów
RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika
krzemu (SiC) (Electrical simulations of SiC Schottky diodes,
RESURF JFET and RESURF MOSFET on silicon carbide substrate
(SiC)) - T. Bieniek, J. Stęszewski, M. Sochacki, J. Szmidt....11
Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych
wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
(Optical Investigations of 6H-SiC and 15R-SiC Polytypes
Subjected to MultipleAluminum Ion Implantation at Elevated
Temperature) - M. Kulik, J. Żuk, W. Rzodkiewicz, K. Pyszniak,
A. Droździel, M. Turek, S. Prucnal, M. Sochacki, J. Szmidt ..........15
Problemymontażu struktur SiC stosowanychwelektronicewysokich
temperatur i dużychmocy (Assembly aspects of SiC devices
for high frequency and high power applications) -
Z. Szczepański, R. Kisiel............................................................19
Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowokrzemowych
łącznikówmocy (Methodology of comparative investigation
of silicon and silicon-carbide power switches) - M.
Nowak, R. Barlik, J. Rąbkowski ................................................25
Stanowisko i spiralno-wewnętrzna technika cięciamonokryształów
SiC na płytki podłożowe (The set and spiral-internal cutting
method of SiC single crystals into substrate wafers) -
W. Hofman ...............................................................................31
Epitaksja węglika krzemu metodą CVD (Silicon Carbide Epitaxy
by CVDmethod) -W. Strupiński, K. Kościewicz,MWesołowski .... 36
TECHNIKA MIKROFALOWA I RADIOLOKACJA: Mechaniczne
przestrajanie filtrówmikrofalowych przy użyciu bezkontaktowego
strojnika pojemnościowego (Mechanical tuning of microwave
filters with the use of contactless capacitive tuner) -
Z Szczepaniak, A. Arvaniti, E. Orzeł-Tatarczuk ...........................43
Wybrane problemy kompensacji czasowych listków bocznych
sygnału echa radarowego dla sygnałów polifazowych
(Chosen aspects of sidelobe reduction techniques for polyphase
radar signals) -M. Łuszczyk .............................................................. 47
TECHNIKA INFORMATYCZNA: 50 lat polskich komputerów (50
years of Polish computers) - W. Nowakowski ................................52
Rola metadanych w upublicznianiu i promocji kursów elektronicznych
(Arole ofmetadata in publishing and promoting electronic
courses) - J. Brzostek-Pawłowska............................................60
TECHNIKA SENSOROWA: Nowe generacje SQUID do zastosowań
w biomagnetometrii (New generation of SQUIDS for biomagnetic
investigations) - Z. Dunajski ...........................................65
Implementacja regulatora optymalnego o najkrótszym czasie
dojścia do zadanej pozycji (Implementation of time-optimal controller
on FPGA) - M. Kapruziak, B. Olech ...................................67
Sprzętowe generatory liczb pseudolosowych o rozkładzie
wykładniczym i ich realizacja w układach FPGA (Hardware
pseudorandom number generators with exponential distribution
and their implementation to FPGA device) - P. Kawalec ..........69
Techniki zmniejszania złożoności implementacyjnejwukładzie
mnożącym przez macierz stałych (Techniques for decreasing
the implementation complexity of the hardware element multiplying
by amatrix of constant coefficients) -G. Ulacha ........................72
Wielomodułowa 64-bitowa struktura funkcji exp() implementowanawukładach
FPGA (Multimodule 64-bit structure of exp() function
implemented in FPGAs) - M. Wielgosz, E. Jamro, K. Wiatr ........74
Cynowe, lutowne powłoki ochronnewtechnologii płytek drukowanych
(Solderable protective tin coatings in printed circuit board
technology) - J. Bieliński,A.Araźna,G. Kozioł,A. Bielińska ...............78
Odporna adaptacyjna korekcja charakterystyki kanałuwtransmisji
z modulacją M-QAM (Robust adaptive channel equalization
for transmission withM-QAMsignaling scheme) -G.Mazurek,
J. Falkiewicz, J. Szabatin ..................................................................82
Przyczyny powstawania fałszywych alarmów pożarowych
(Reasons false fire alarm) - J. Kośnik ............................................91
Moduły detekcyjne dla telekomunikacji optycznej w otwartej
przestrzeni drugiej generacj (Integrated IR detector packages
for the second generation of free-space optical links) -
Z. Bielecki, M. Brudnowski, W. Gawron, J. Pawluczyk, A. Piotrowski,
J. Piotrowski ......................................................................95
Trudności występujące w procesie oceniania działalności badawczej
w obszarze elektroniki (Difficulties appearing in the research
activities assessment in the field of electronics) -
J. Świderski .....................................................................................101
Monitor Udaru jako narzędziewspomagania diagnostyki badań
TKmózgu (Ischemic strokemonitor as diagnosis assistant for CT
examinations) - A. Przelaskowski, G. Ostrek, K. Sklinda ....104
Szkło nieliniowe dla fotoniki. Część 4. Szkła Kerra (Nonlinear
glasses for photonics. Part 4. Kerr glasses) - R. Romaniuk ........115
Z DZIAŁALNOŚCI STOWARZYSZENIA SEP (ASSOCIATION ACTIVITIES
SEP)..............................................................................119
Streszczenia artykułów • Summaries of the articles
BIENIEK T., STĘSZEWSKI J., SOCHACKI M., SZMIDT J.: Symulacje
elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF
JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 11
W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych
przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu
na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET.
Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania
Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono
analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod
kątem wytworzenia diody o jak najwyższym napięciu blokowania
w kierunku zaporowym.Wanalizie tranzystorów głównym celem było
zbadanie wpływu domieszkowania obszaru RESURF oraz jego geometrii
na napięcie przebicia i rezystancję w stanie włączenia.
Słowa kluczowe: węglik krzemu, Silvaco Atlas, symulacje elektryczne
KULIK M., ŻUK J., RZODKIEWICZ W., PYSZNIAK K., DROŹDZIEL
A., TUREK M., PRUCNAL S., SOCHACKI M., SZMIDT J.: Badania
optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej
implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 15
Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję
politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al+. Zastosowano
techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikroramanowskiego
rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano
przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem
jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki
w czasie implantacji wynosiła 500°C. Badania metodami mikro-Ramana
i elipsometrii spektroskopowej wykazały powstawanie obszarów
amorficznych po procesie implantacji w warstwie przypowierzchniowej
w przypadku obu politypów SiC.
Słowa kluczowe: węglik krzemu, implantacja jonowa, elipsometria
spektroskopowa, spektrometria mikro-ramanowska
SZCZEPAŃSKI Z., KISIEL R.: Problemy montażu struktur SiC stosowanych
w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 19
Materiały półprzewodnikowe z szeroką przerwą zabronioną posiadają
wiele zalet fizycznych, które stwarzają nowe możliwości ich zastosowania
w elektronice wysokotemperaturowej i wysokomocowej. Z pośród
półprzewodnikowych materiałów szerokopasmowych węglik
krzemu stał się najbardziej obiecującym i odpowiednim materiałem
dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Węglik
krzemu jest materiałem najszerzej badanym i najintensywniej rozwijanym
i obecnie przyrządy wytwarzane na bazie SiC stały się
handlowo dostępne do zastosowań wysokotemperaturowych i wysokomocowych.
Niezawodność takich przyrządów jest ograniczona zarówno
przez stabilność wysokotemperaturową kontaktów omowych
jak i procesy montażu obejmujące zarówno montaż struktur jak i wykonywanie
połączeń. Główna uwaga w tym artykule została zwrócona
na problemy związane z montażem nieobudowanych struktur SiC
oraz materiały spełniające stawiane im wymagania wysokotemperaturowe
i wysokomocowe. Dokonano przeglądu różnych technologii
montażu do zastosowań wysokotemperaturowych oraz opisano procesy
montażu stosowane w badaniach własnych. Opisano także kilka
wybranych materiałów na podłoża układów, do łączenia struktur oraz
na obudowy, które są najodpowiedniejsze do zastosowań wysokotemperaturowych.
Słowa kluczowe: półprzewodniki szerokopasmowe węglik krzemu,
technologie montażu, niedopasowanie termiczne
NOWAK M., BARLIK R, RĄBKOWSKI J.: Metodyka badań porównawczych
krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 25
Przedstawiono metodykę oraz przykładowe wyniki pomiarów podstawowych
parametrów półprzewodnikowych przyrządów - łączników
mocy z uwzględnieniem rzeczywistej temperatury struktury.
Celem tych pomiarów jest porównanie wskaźników energetycznych
harakteryzujących łączniki zbudowane z zastosowaniem tylko przyrządów
krzemowych oraz łączniki zbudowane z zastosowaniem przyrządów
krzemowych i węglikowo-krzemowych. Wskazano korzyści
wynikające z zastąpienia diody krzemowej typu PiN współpracującej
z tranzystorem IGBT przez diodę węglikowo krzemową typu Schottky.
Zmniejszenie strat w tego rodzaju komponowanych łącznikach wynika
głównie z braku ładunku przejściowego w diodach SiC typu
Schottky.
Słowa kluczowe: energoelektronika, PWM, IGBT, diody Schottkyego
z węglika krzemu, straty mocy
HOFMAN W.: Stanowisko i spiralno-wewnętrzna technika cięcia
monokryształów SiC na płytki podłożowe
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 31
Omówiono stanowisko oraz technikę efektywnego cięcia monokryształów
SiC na cienkie płytki przy pomocy zbrojonej diamentem krawędzi
kołowego otworu tarczy stalowej. Tarcza tnąca i kryształ wirowały
podczas cięcia ze zgodnymi ale różnymi prędkościami kątowymi.
W efekcie krótki i malejący odcinek bieżącego kontaktu krawędzi tarczy
z kryształem zakreślał spiralę Archimedesa, która zwijała się do
środka przekroju kryształu. Dobrano skład, intensywność i kształt strumienia
płynu chłodzącego, zapobiegającego zaszlichcaniu się krawędzi
tnącej. Optymalizację metody wykonano dla kryształów 4H
i 6H-SiC o średnicach ? 3". Uzyskano płytki o grubości porównywalnej
do grubości krawędzi tnącej tarczy (650ą30 ľm), gdy cięto je
z szybkością równą 0,8 mm/min.
Słowa kluczowe: SiC kryształ, cięcie mechaniczne kryształu, kształt
i wymiary uzyskanych płytek
STRUPIŃSKI W., KOŚCIEWICZ K., WESOŁOWSKI M.: Epitaksja
węglika krzemu metodą CVD
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 36
W pracy przedstawiono główne rezultaty badań nad wzrostem epitaksjalnym
warstw SiC metodą CVD. Opracowano technologię przygotowania
powierzchni podłożowych płytek komercyjnych SiC do
wzrostu epitaksjalnego poprzez trawienie in situ w mieszance wodoru
i propanu. Zbadano i zoptymalizowano warunki wzrostu niedomieszkowanych
warstw SiC metodą CVD o grubości do 10 mikrometrów.
Opracowano technologię domieszkowania donorami i akceptorami
w zakresie koncentracji wymaganych w technologii przyrządów.
Opracowano metodykę charakteryzacji własności strukturalnych,
w tym morfologii powierzchni osadzanych warstw, grubości i jednorodności
grubości na płytce o średnicy 2 cale oraz własności elektrycznych.
Zbadano podstawowe zależności między parametrami
procesu epitaksji a własnościami wytwarzanych warstw SiC. Porównano
wyniki pomiarów metodą PL warstw komercyjnych i warstw epitaksjalnych
SiC wykonanych w ITME.
Słowa kluczowe: SiC, węglik krzemu, epitaksja, CVD, warstwy epitaksjalne
SOLUCH W., ŁYSAKOWSKA M.: Właściwości akustycznych
modów płytowych w niobianie litu o orientacji YZ
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 41
Przedstawiono wyniki obliczeń i pomiarów akustycznych modów
płytowych (AMP) w niobianie litu o orientacji YZ. Uzyskano dobrą
zgodność obliczonych i zmierzonych widm AMP. Stwierdzono, że najmniejsze
tłumienności wtrącenia mają AMP, które charakteryzują się
koncentracją przemieszczeń mechanicznych przy obydwu płaszczyznach
płytki. Ich źródłem są akustyczne fale pseudopowierzchniowe.
AMP w niobianie litu o orientacji YZ mogą znaleźć zastosowanie
w czujnikach cieczowych.
Słowa kluczowe: niobian litu, akustyczne mody płytowe, czujniki cieczowe
SZCZEPANIAK Z., ARVANITI A., ORZEŁ-TATARCZUK E.: Mechaniczne
przestrajanie filtrów mikrofalowych przy użyciu bezkontaktowego
strojnika pojemnościowego
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 43
W artykule zaprezentowano metodę strojenia, pozwalającą na uniknięcie
problemu zapewnienia kontaktu elektrycznego w układach strojenia
filtrów na bazie linii SLP. Układ proponowanego strojnika nie
wymaga kontaktu elektrycznego z obudową filtru i bazuje na idei kondensatora
cylindrycznego z ruchomą częścią wewnętrzną. W artykule,
oprócz zasady działania układu, zaprezentowano również wyniki
symulacji i pomiarów modelowego pięciostopniowego filtru grzebieniowego
w paśmie L/S.
Słowa kluczowe: filtr, przestrajanie, strojnik
ŁUSZCZYK M.: Wybrane problemy kompensacji czasowych listków
bocznych sygnału echa radarowego dla sygnałów polifazowych
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 47
Artykuł poświęcony jest zjawisku występowania i kompensacji listków
bocznych sygnałów echa radarowego po filtracji dopasowanej na
przykładzie sygnału polifazowego P4. W artykule zaprezentowano
wskaźniki jakości skompresowanego sygnału, które służą do oceny
skuteczności redukcji czasowych listków bocznych z wykorzystaniem
różnych funkcji wagowych (np. okien Hamminga i Kaisera-Bessela).
W artykule zaprezentowano wyniki symulacji właściwości sygnału
echa radiolokacyjnego po kompresji z uwzględnieniem techniki kompensacji
czasowych listków bocznych z wykorzystaniem parametrycznego
okna ważącego.
Słowa kluczowe: polifazowe sygnały radarowe, kompresja sygnałów,
czasowe listki boczne
NOWAKOWSKI W.: 50 lat polskich komputerów
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 52
W trzy lata po II Wojnie Światowej, w wyniszczonym kraju, kilku
młodych entuzjastów kończących przerwane wojną studia postawiło
sobie za cel samodzielne zbudowanie matematycznej maszyny cyfrowej,
podobnej do zaledwie rok wcześniej skonstruowanej w USA,
największej światowej potędze nauki i techniki. Bez żadnej konkretnej
wiedzy na ten temat, potrzebnych materiałów, narzędzi i pieniędzy.
To może być tylko polska historia.
Słowa kluczowe: komputer, oprogramowanie, pamięć, XYZ, ZAM,
UMC, Elwro, MERA, Mazovia
BRZOSTEK-PAWŁOWSKA J.: Rola metadanych w upublicznianiu
i promocji kursów elektronicznych
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 60
Opisano rolę metadanych w upublicznianiu oraz promowaniu elektronicznych
kursów lub ich modułów. Przedstawione są kategorie metadanych
zgodnych ze specyfikacją SCORM, obszary ich zastosowań
i grupy docelowe odbiorców. Dopuszczona w SCORM swoboda definiowania
treści niektórych metadanych jest jedną z przyczyn kłopotów
w procesach importowania i wymiany e-kontentu między
platformami LMS. Rozwój standardu metadanych ukierunkowany jest
na sformalizowanie zapisów dotychczas "swobodnych" treści niektórych
metadanych. Jednoznaczne treści metadanych oraz w pełni zdefiniowane
struktury metadanych są podstawą efektywnego gospodarowania
treściami e-learningowymi zgromadzonymi w repozytoriach e-kontentu,
do których wiedzie droga poprzez repozytoria metadanych. Elektroniczny
kurs lub jego moduł nieopisany metadanymi - nie jest widziany
w Sieci, więc nie istnieje.
Słowa kluczowe: metadane, kursy elektroniczne, e-learning
DUNAJSKI Z.: Nowe generacje SQUID do zastosowań w biomagnetometrii
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 65
Rozwój technologii małych struktur oraz odkrycie nowych nadprzewodników
spowodowały znaczny postęp w opracowaniu nowych generacji
SQUID-ów, zarówno z nadprzewodników niskotemperaturowych jak
i wysoko temperaturowych. Magnetometry ze SQUID-ami wysokotemperaturowymi
pracujące w temperaturze ciekłego azotu, 77 K, osiągnęły
czułość większą niż 10 fT/?Hz . Wysokotemperaturowe SQUID-y mogą
być łączone w konfiguracje przestrzenne przeznaczone do pomiaru pól
magnetycznych o gradiencie 1 fT/?Hz cm, gdy pomiary prowadzone są
w pomieszczeniu ekranowanym magnetycznie. Bardzo obiecującym
nowym materiałem do budowy SQUID-ów, magnetometrów i elektroniki
nadprzewodnikowej jest odkryty w 2001 roku nadprzewodnik z MgB2,
mający temperaturę krytyczną około 39 K. Może on być stosowany do
budowy elementów w skali nano co ma istotne znaczenie w konstrukcji
układów elektronicznych o małych szumach.
Słowa kluczowe: SQUID, czujniki nadprzewodzące, magnetometry
kwantowe
KAPRUZIAK M., OLECH B.: Implementacja regulatora optymalnego
o najkrótszym czasie dojścia do zadanej pozycji
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 67
Przedstawiono propozycję strukturalnej realizacji na układzie FPGA
regulatora optymalnego o najkrótszym czasie dojścia do zadanej pozycji.
Regulatory optymalne charakteryzują się dużymi wymaganiami
ze względu na przewidywalność ruchu, dzięki czemu możliwe jest
osiągnięcie lepszych parametrów tego ruchu. Skutecznie można je
wykorzystać jako regulatory wyższych poziomów, jak regulator pozycji
czy nadążny, jak również regulatory dla systemów z silnikami krokowymi.
Implementacja takiego regulatora w układzie FPGA pozwala
na wykorzystanie wielu takich modułów w jednym chipie, dostosowując
ich liczbę oraz parametry do wymaganej aplikacji.
Słowa kluczowe: regulator optymalny, FPGA
KAWALEC P.: Sprzętowe generatory liczb pseudolosowych
o rozkładzie wykładniczym i ich realizacja w układach FPGA
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s.69
W artykule przedstawiono koncepcję sprzętowej realizacji generatora
liczb pseudolosowych o rozkładzie wykładniczym, w której wykorzystano
do generowania rozkładu wykładniczego metodę von Neumanna.
Jako źródło zmiennych losowych zastosowano układowy
generator liczb pseudolosowych o rozkładzie równomiernym na rejestrach
liniowych. Zaprezentowano proces specyfikacji generatora
w języku opisu sprzętu VHDL, a następnie jego weryfikację, syntezę
i implementację w programowalną strukturę FPGA. Przedstawiono
wyniki symulacji funkcjonalnej i czasowej oraz uzyskane parametry
czasowe działania generatora.
Słowa kluczowe: liczby losowe, sprzętowe generatory, rozkład
wykładniczy, HDL, FPGA
ULACHA G.: Techniki zmniejszania złożoności implementacyjnej
w układzie mnożącym przez macierz stałych
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2007, s. 72
W artykule przedstawiono ideę zmniejszania liczby operacji arytmetycznych
w układzie mnożącym przez macierz stałych na przykładzie
transformacji przestrzeni barw, będącej istotnym elementem kodowania
obrazów i sekwencji wideo. Dla przedstawionego przykładu
mnożenia wektora składowych RGB przez macierz stałych wykazano
zasadność stosowania proponowanej metody wykorzystującej technikę
bitowo-szeregową.
Słowa kluczowe: transformacja barw, przetwarzanie bitowo-szeregowe,
reprezentacja CSD
WIELGOSZ M., JAMRO E., WIATR K.: Wielomodułowa 64-bitowa
struktura funkcji exp() implementowana w układach FPGA
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 74
Artykuł prezentuje implementacje modułu obliczających funkcję exp()
podwójnej precyzji w układach FPGA z wykorzystaniem na platformy
sprzętowej RASC. Przy obliczaniu funkcji exp() zastosowano kombinację
architektury tablicowej oraz pierwszego rozwinięcia w szereg
Taylora ex ?1+x, dzięki temu moduł zajmuje mało zasobów układu
FPGA (około 4% dla układu XC4LX200). W konsekwencji możliwa
jest równoległa praca wielu takich modułów. Niestety ze względu na
ograniczoną szybkość dostarczania i odbierania danych z pamięci
zaimplementowano tylko dwa moduły równoległe - układ pobiera
dane wejściowe, wykonuje obliczenia i wysyła dane wyjściowe z szybkością
2x64 bity co 5 ns (f=200 MHz). Porównanie szybkości obliczeniowej
opisanej implementacji sprzętowej z rozwiązaniami
procesorowymi pokazuje zdecydowane przyśpieszenie obliczeń.
Słowa kluczowe: HPC, FPGA, exp()
BIELIŃSKI J., ARAŹNA A., KOZIOŁ G., BIELIŃSKA A.: Cynowe,
lutowne powłoki ochronne w technologii płytek drukowanych
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 78
W artykule omówiono główne zagadnienia rozwoju technologii wytwarzania
warstw immersyjnej cyny, stosowanych jako jedne z powłok zastępujących
Sn-Pb w produkcji płytek drukowanych. Na bazie obszernej
analizy literaturowej przedstawiono rozwój procesów bezprądowego cynowania
od laboratoryjnych eksperymentów z roztworami chlorkowotiomocznikowymi
po współczesne roztwory z zastosowaniem soli
kwasu metanosulfonowego. Zestawiono szczegółowe warianty kolejnych
ogniw linii technologicznych - oczyszczania płytek, trawienia,
procesów poprzedzających cynowanie i cynowania, z podkreśleniem
istotnej roli procesów płukania międzyoperacyjnego. Omówiono najważniejsze
przyczyny występowania złej lutowności powłok Sn. Wykonana
analiza literaturowa wykazała, że najnowsze warianty
światowych technologii cyny immersyjnej są w dużym stopniu pozbawione
występujących wcześniej wad.
Słowa kluczowe: powłoki ochronne, płytki drukowane, cyna immersyjna,
lutowność
MAZUREK G., FALKIEWICZ J., SZABATIN J.: Odporna adaptacyjna
korekcja charakterystyki kanału w transmisji z modulacją
M-QAM
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 82
W pracy omówiono problem adaptacyjnej korekcji charakterystyki
częstotliwościowej kanału transmisyjnego w przypadku transmisji sygnałów
zmodulowanych w formacie M-QAM i zakłóconych szumem
impulsowym, modelowanym niegaussowskimi rozkładami gęstości
prawdopodobieństwa. Przedstawiono trzy klasy algorytmów adaptacyjnych
stosowanych w odbiornikach do korekcji charakterystyki kanału:
LMS, RLS i CMA i porównano je pod kątem szybkości
zbieżności, dokładności uzyskiwanej korekcji oraz złożoności obliczeniowej.
Wykazano, że wszystkie wymienione algorytmy są nieodporne
na zakłócenia impulsowe obecne w kanale. Dlatego też w pracy
zaproponowano odporne algorytmy adaptacyjnej korekcji. Cechę odporności
na zakłócenia impulsowe uzyskano przez zastosowanie
w tych algorytmach nieliniowych funkcji przetwarzania błędu estymacji.
Zbadano trzy rodzaje takich funkcji: Hubera, Hampela i funkcję
wynikającą z kryterium największej wiarygodności.
Działanie algorytmów zweryfikowano symulacyjnie z wykorzystaniem
syntetycznych sygnałów z modulacją 64-QAM, zakłócanych szumem
impulsowym o rozkładzie ?-zaburzonym. Badania symulacyjne wykazały
znaczną poprawę jakości korekcji, uzyskiwaną za pomocą zaproponowanych
algorytmów odpornych. W pracy przedstawiono
również praktyczne zastosowanie odpornych algorytmów ekwalizacji
do demodulacji pochodzącego z faksu rzeczywistego sygnału 16-
QAM, zakłóconego szumem o charakterze impulsowym. Dotychczasowe
zastosowanie klasycznych adaptacyjnych metod korekcji nie
pozwalało w tym przypadku na uzyskanie jakichkolwiek użytecznych
rezultatów.
Słowa kluczowe: korekcja charakterystyki kanału teletransmisyjnego,
algorytmy adaptacyjne, odporne metody estymacji, modulacja
QAM, zakłócenia impulsowe
KOŚNIK J.: Przyczyny powstawania fałszywych alarmów
pożarowych
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 91
Urządzenia ochrony przeciwpożarowej, zainstalowane w chronionych
przed pożarem obiek-tach, wykazują w ostatnich kilku latach gorsze
działanie i coraz częściej sygnalizują fałszywe alarmy pożarowe. Dotychczas
nie wykryto przyczyn powodujących nagły wzrost częstości
występowania fałszywych alarmów i powstały przypuszczenia, że
alarmy może wywoływać promieniowanie elektromagnetyczne emitowane
przez wprowadzane do eksploatacji w tym samym czasie
nowe systemy radiokomunikacyjne i teleinformatyczne. W artykule
wykorzy-stano dane statystyczne Komendy Głównej Państwowej
Straży Pożarnej.
Słowa kluczowe: czujka pożarowa, fałszywy alarm pożarowy, kompatybilność
elektromagne-tyczna, promieniowane pole elektromagnetyczne,
Straż Pożarna
BIELECKI Z., BRUDNOWSKI M., GAWRON W., PAWLUCZYK J.,
PIOTROWSKI A., PIOTROWSKI J.: Moduły detekcyjne dla telekomunikacji
optycznej w otwartej przestrzeni drugiej generacji
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 95
Przedstawiono konstrukcję i właściwości szerokopasmowych modułów
detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych
drugiej generacji. W modułach tych wykorzystano
heterostrukturalne fotodetektory długofalowego (??10 ľm) promieniowania
podczerwonego, pracujące w temperaturze otoczenia lub
chłodzone za pomocą chłodziarek termoelektrycznych. Podstawą
konstrukcji fotodetektorów są złożone heterostruktury HgCdTe wytwarzane
metodą MOCVD. Dzięki optymalizacji konstrukcji moduły
detekcyjne osiągają wykrywalności >1010 cmHz1/2/W i stałe czasowe
<0,1 ns.
Słowa kluczowe: łącze optoelektroniczne, detektory podczerwieni,
HgCdTe, szerokopasmowa detekcja podczerwieni
ŚWIDERSKI J.: Trudności występujące w procesie oceniania
działalności badawczej w obszarze elektroniki
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 101
Czy i dlaczego należy oceniać placówki naukowe i pracowników naukowych?
Czy można te oceny przeprowadzać jedynie jakościowo,
czy też można zastosować również ocenę ilościową? Jak i kto ma
oceniać pracowników naukowych oraz czemu ta ocena ma służyć?
Odpowiedź na ostatnie z tych pytań determinuje podejście do postawionego
na wstępie. Przeanalizowano modne ostatnio paradoksalne
zestawianie osiągnięć (i ich twórców) wielkich z osiągnięciami
ważnymi, a następnie opisano systemy oceny ilościowej stosowane
w najwyżej i najniżej ocenianych placówkach naukowych. Wreszcie
podjęto próbę udowodnienia dwóch związanych ze sobą tez, że brak
dokładnej i szybkiej oceny ważnych osiągnięć (zwłaszcza w naukach
stosowanych i w zaawansowanych technologiach) najczęściej prowadzi
do poważnych, wymiernych strat, a ocena zbyt dobra jest równie
krzywdząca, jak ocena niezasłużenie zła.
PRZELASKOWSKI A., OSTREK G., SKLINDA K.: Monitor Udaru
jako narzędzie wspomagania diagnostyki badań TK mózgu
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 104
Praca dotyczy komputerowych metod wspomagania diagnostyki
udaru niedokrwiennego mózgu wykorzystującej badania tomografii
komputerowej bez podania środka kontrastowego. Jako najbardziej
wiarygodny, czuły i specyficzny wskaźnik obecności tych patologii wybrano
obszar hipodensyjny odpowiadający strefie objętej niedokrwieniem.
Przedstawiono koncepcję Monitora Udaru, jako narzędzia
wspierającego interpretację badań TK przez: poprawę percepcji subtelnych
zmian gęstości w obszarach podatnych na udar, segmentację
wybranych struktur diagnostycznych, a także mniej lub bardziej wyrazistą
ekstrakcję potencjalnych zmian niedokrwiennych - obszarów
udarowych. Proponowana metoda monitora bazuje na wydzieleniu
tkanek mózgowia, wyznaczeniu obszarów potencjalnego udaru, analizie
wieloskalowej informacji obrazowej ze wzmocnieniem cech
użytecznych oraz redukcją szumów i artefaktów, a także dobranej
formy wizualizacji przetworzonych obrazów, uwzględniającej znaczenie
wydzielonych regionów i określonych cech obrazów. Wyniki
przeprowadzonych eksperymentów potwierdzają użyteczność monitora
w opisie badań pacjentów w nadostrej fazie udaru.
Słowa kluczowe: detekcja udaru niedokrwiennego mózgu, komputerowe
wspomaganie diagnozy, rozumienie obrazów medycznych
ROMANIUK R.: Szkło nieliniowe dla fotoniki. Część 4. Szkła Kerra
Elektronika (XLIX), nr 7-8/2008, s. 115
Szkła, obok półprzewodników i metali, są podstawowym materiałem
do budowy elementów w optoelektronice i mikroelektronice. Praktyczna
wiedza o szkłach rozszerza się wraz z intensywnym rozwojem
ich zastosowań w telekomunikacji i budowie mikrosystemów.
Wiele elementów funkcjonalnych fotoniki budowanych jest ze szkieł
nieliniowych. Optyczne zjawiska nieliniowe indukowane w szkle pozwalają
na budowę nowych mikroelementów fotonicznych zastępujących
złożone rozwiązania klasycznej optyki objętościowej.
W artykule, który jest czwartą częścią cyklu prac o szkłach nieliniowych,
przedstawiono definicję szkieł Kerra oraz dokonano ich podziału
na szkła elektrooptyczne niskoczęstotliwościowe i optyczne
wysokoczęstotliwościowe. Omówiono mechanizm wymuszania
dwójłomności w obu przypadkach poprzez zjawiska polaryzacji. Procesy
niskoczęstotliwościowe są wzbudzane przez zjawisko elektrostrykcji,
a procesy wysokoczęstotliwościowe poprzez polaryzację
molekularną. Omówiono charakterystyki zjawisk Kerra dla różnych
szkieł optycznych. Omówiono warunki, gdy w przypadku bardzo silnych
oddziaływań polowych szkło ulega częściowej morfizacji.
Słowa kluczowe: szkła optyczne, fotonika, stała Kerra, zjawisko elektrooptyczne
Kerra, zjawisko optyczne Kerra, anizotropia refrakcyjna,
modulacja elektrooptyczna światła, foto-elektrostrykcja, morfizacja
szkła, szkła paraelektryczne
