Spis tresci zeszytu Elektronika nr 7/2019
OBLICZENIA DOTYCZĄCE ELEMENTÓW SKŁADOWYCH WPŁYWAJĄCYCH
NA WARTOŚĆ REZYSTANCJI SZEREGOWEJ KRZEMOWEGO OGNIWA
SŁONECZNEGO
(Calculations relating to component elements influencing the value of
series resistance of silicon solar cell)
M. MUSZTYFAGA-STASZUK..............4
STRESZCZENIE
Rezystancja szeregowa należy do parametrów stanowiących
o jakości ogniwa słonecznego, dlatego przy jego projektowaniu
i wytwarzaniu dąży się do zminimalizowania jej wartości.
W artykule zawarto zestawienie parametrów służących do
obliczeń numerycznych składników rezystancji szeregowej
ogniwa słonecznego oraz wynikającą z tego rezystywność.
Określono wpływ właściwości warstw konstrukcyjnych krzemowego
ogniwa słonecznego na jego rezystancję szeregową.
Do badań zastosowano ogniwo słoneczne, w którym elektrodę
przednią wytwarzano na bazie komercyjnej pasty srebrnej
modyfikowanej komponentem CuXX.
SŁOWA KLUCZOWE:krzemowe ogniwa słoneczne, przednia
elektroda, rezystancją szeregowa
ABSTRACT
Series resistance belongs to the parameters that determine the
quality of a solar cell, therefore its design and production aims
to minimize its value. The article contains a list of parameters
used for numerical calculation of solar cell series resistance
components and the resulting of this resistivity. The influence
of properties of silicon solar cell construction layers on its series
resistance was determined. A solar cell was used for the
investigations, in which the front electrode was performed on
the basis of a commercial silver paste modified with the CuXX
component.
KEYWORDS:Silicon solar cells, front electrode, series resistance
WPŁYW STRUKTURY NA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNE ORAZ OPTYCZNE
CIENKICH WARSTW NA BAZIE TLENKÓW TYTANU I MIEDZI
(Influence of the structure on the electrical and optical properties of thin
films based on the titanium and copper oxides)
A. OBSTARCZYK, D. KACZMAREK, W. POSADOWSKI, E. MAŃKOWSKA, M. GROBELNY.7
STRESZCZENIE
W pracy przedstawiono wyniki badania wpływu struktury na
właściwości elektryczne oraz optyczne cienkich warstw na bazie
tlenków tytanu i miedzi. Cienkie warstwy tlenku miedzi oraz
dwuwarstwy TiO2/CuxO o różnej grubości TiO2 na powierzchni
CuxO były naniesione metodą rozpylania magnetronowego.
Wytworzone dwuwarstwy TiO2/CuxO o różnej grubości TiO2
były nanokrystaliczne o jednoskośnej strukturze tlenku miedzi
II (CuO). Średni rozmiar krystalitów był w zakresie od 10 nm
do 14 nm. Stwierdzono, że rezystywność dla cienkiej warstwy
CuO była równa 0,7·103 Ω·cm, natomiast dla struktur TiO2/CuO
była w zakresie 0,8·103 ÷ 1,5·103 Ω·cm. W przypadku powłok
dwuwarstwowych TiO2/CuO średnia wartość współczynnika
transmisji światła wynosiła ponad 80%.
SŁOWA KLUCZOWE:TiO2/CuO, cienkie warstwy, rozpylanie magnetronowe,
właściwości elektryczne, właściwości optyczne
ABSTRACT
This paper provides research investigation results and analysis
of influence of the structure on electrical and optical properties
of thin films based on the titanium and copper oxides. CuxO and
TiO2/CuxO thin films with different thickness of top TiO2 layer
coatings were deposited by the reactive magnetron sputtering
method. TiO2/CuxO bilayers with different thickness of top TiO2
layer were nanocrystalline and had monoclinc structure of CuO.
The crystallite sizes were in the range of 10 nm to 14 nm. It
was found that the resistivity for the CuO film was equal to
0.7·103 Ω·cm, and for TiO2/CuO structures was in the range of
0.8·103 ÷ 1.5·103 Ω·cm. As-prepared bilayers were well transparent,
average transparency was above 80%.
KEYWORDS:TiO2/CuO, thin films, magnetron sputtering, electrical
properties, optical properties
BADANIE WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH WARSTW TLENKÓW CYNKU
OTRZYMYWANYCH METODĄ REAKTYWNEGO IMPULSOWEGO ROZPYLANIA
MAGNETRONOWEGO
(Investigation of the properties of zinc oxide thin films deposited by the reactive
pulsed magnetron sputtering method)
A. WIATROWSKI, W. POSADOWSKI, D. WOJCIESZAK, M. MAZUR, A. OBSTARCZYK
A. ZIĘBA..10
STRESZCZENIE
W pracy przedstawiono wyniki badań technologii otrzymywania
warstw ZnOx metodą impulsowego reaktywnego rozpylania
magnetronowego. Badano charakterystyki elektryczne procesów
reaktywnych podczas rozpylania targetu Zn w obecności
mieszaniny argon + tlen, identyfikując mod rozpylania magnetronowego.
Określono warunki technologiczne, przy których
osadzone warstwy miały właściwości zbliżone do właściwości
stechiometrycznego tlenku cynku. Morfologia przekroju
powierzchni wytworzonych warstw wskazała na budowę
matrycy/osnowy dielektrycznej z wtrąceniami metalicznymi
przy małym poziomie mocy krążącej, gdy strukturę włóknistą/
/kolumnową miały warstwy otrzymane przy dużych wartościach
mocy krążącej. Współczynnik załamania światła wytworzonych
warstw był w zakresie 1,97 ÷ 1,98. Badania przedstawione
w pracy pokazały, że parametry procesu osadzania miału
duży wpływ na wartość współczynnika ekstynkcji światła.
.
SŁOWA KLUCZOWE:cienkie warstwy tlenku cynku, impulsowe
rozpylanie magnetronowe, próżnia, właściwości powierzchni,
właściwości optyczne
ABSTRACT
This paper provides the results of research investigation of
pulsed reactive magnetron sputtering method for preparation
of ZnOx thin films. For identification the magnetron sputtering
mode, the electrical characteristics of the reactive processes
during sputtering of Zn target in the mixed argon + oxygen
atmosphere were investigated. Technological conditions at
which deposited films had properties similar to stoichiometric
zinc oxide were determined. The morphology of films crosssection
indicate that the structure of dielectric matrix/wrap
with metallic inclusions was obtained at a low level of circulating
power, while coatings obtained at high circulating power
values had fibrous/column structure. The refractive index of
the prepared films was in the range of 1.97 to 1.98. Research
presented in this work showed that the parameters of sputtering
had an effect on the value of the extinction coefficient.
KEYWORDS:zinc oxide thin films, pulsed magnetron sputtering,
vacuum, surface properties, optical properties
ANALIZA EFEKTU PRZEŁĄCZANIA REZYSTANCJI W STRUKTURACH
CIENKOWARSTWOWYCH Z RÓŻNYM PROFILEM SKŁADU MATERIAŁOWEGO
(Analysis of resistive switching effect in thin-film structures with different profiles
of material compositions)
T. KOTWICA, J. DOMARADZKI, D. KACZMAREK, J. ROGALA, M. STRZYŻEWSKI..14
STRESZCZENIE
Niniejsza praca przedstawia wyniki badań elektrycznych oraz strukturalnych
cienkich warstw (Ti-Cu)Ox wytworzonych metodą rozpylania
magnetronowego z zaprogramowanym profilem rozkładu pierwiastków.
Wytworzenie cienkich warstw zaplanowano tak, aby uzyskać
gradientową zmianę koncentracji miedzi w funkcji grubości
osadzonej warstwy o zadanym kształcie. Analiza składu materiałowego
wykazała, że wytworzone warstwy posiadały podobny
skład materiałowy wynoszący odpowiednio (Ti52Cu48)Ox oraz
(Ti48Cu52)Ox oraz posiadały zadany kształt profilu rozkładu miedzi.
Przeprowadzone analizy przekroi struktur wykonane za pomocą
transmisyjnego mikroskopu elektronowego potwierdziły uzyskanie
zarówno gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery V, jak i gradientu
rozkładu miedzi o kształcie litery U w całej objętości cienkiej warstwy.
Badania elektryczne wykazały, że mimo podobnego składu
materiałowego wytworzonych cienkich warstw, uzyskano różne
przebiegi charakterystyk prądowo-napięciowych, a więc możliwe
jest sterowanie typem efektu przełączania rezystancji przez zadanie
określonego profilu rozkładu pierwiastków w danej strukturze.
SŁOWA KLUCZOWE:cienka warstwa, tlenek miedzi, tlenek tytanu,
rozkład gradientowy, właściwości elektryczne
ABSTRACT
The present paper shows the results of electrical properties along
with the investigations of the structure of the (Ti-Cu)Ox thin films
layers fabricated by the magnetron sputtering. Thin films were prepared
in order to achieve gradient change of the cooper concentration
in the function of the thickness of the deposited layers with
programmed shape of elemental profiles. Analysis of the material
compositions showed, that deposited films have similar material
composition respectively, (Ti52Cu48)Ox and (Ti48Cu52)Ox with programmed
specific shape of the elements gradient profile. Conducted
analysis of the films with the help of transmission electron microscope
proved the V-shape and the U-shape gradient distribution
of the cooper across the thin films. Electrical measurements have
shown that despite similar material composition of the fabricated
thin films, different waveforms of current-voltage characteristics
were obtained, leading to the statement that it is possible to control
the type of mechanism of the resistive switching effect by programming
a specific distribution profile of elements in a given structure.
KEYWORDS:thin film, cooper oxide, titanium oxide, gradient
distribution, electrical properties
ANALIZA WŁAŚCIWOŚCI ANTYSTATYCZNYCH CIENKICH WARSTW
NA BAZIE TLENKÓW Hf I Ti W POWIĄZANIU Z ICH MIKROSTRUKTURĄ
(Analysis of antistatic properties thin films oxides in correlation with
microstructure properties)
R. PASTUSZEK, M. MAZUR, D. KACZMAREK, J. DOMARADZKI, A. WIATROWSKI...18
STRESZCZENIE
W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych
cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz
Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie
warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą
metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO2 oraz
SiO2 pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości
150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie
pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast
właściwości strukturalne na podstawie badania metodą
dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały,
warstwy HfO2, (Hf0,85Ti0,15)Ox oraz TiO2 były nanokrystaliczne,
a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei
powłoka (Hf0,15Ti0,85)Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw
naniesionych na SiO2 czasy rozpraszania ładunku przekraczały
2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności.
Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa
amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO2 pokryte
150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie
od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania
ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.
SŁOWA KLUCZOWE:mieszaniny tlenków HfO2-TiO2, rozpylanie
magnetronowe, właściwości elektryczne, właściwości antystatyczne,
właściwości mikrostrukturalne
ABSTRACT
This work presents the analysis of antistatic properties of thinfilm
coatings based on Hf and Ti oxides in relation to their
structural properties. Investigated thin films were sputtered
by the magnetron sputtering method on SiO2 substrates and
deposited SiO2 covered with a 150 nm thick indium-tin oxide
film. Antistatic properties were determined based on the measurements
of static charge dissipation time, while structural
properties based on X-ray diffraction. The XRD results showed,
that HfO2, Hf0.85Ti0.15Ox and TiO2 thin films were nanocrystalline
with an average crystallite size below 10 nm. Hf0.15Ti0.85Ox film
was amorphous. For films deposited on SiO2 the dissipation
times exceeded 2 seconds, which indicated that none of them
were antistatic taking into consideration with accepted cryterion.
The longest dissipation time was obtained for amorphous
coating. Deposition of thin films on SiO2 substrates coated
with a 150 nm thick ITO layer results in a significate decrease
of static charge dissipation time to hundreds of milliseconds,
independently of their structural properties.
KEYWORDS:HfO2-TiO2 mixed oxides, magnetron sputtering,
electrical properties, antistatic properties, microstructural
properties
WPŁYW RODZAJU PODŁOŻA NA WYBRANE WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH
WARSTW ITO
(Influence of substrate type on selected properties of ITO thin films)
M. STRZYŻEWSKI, D. WOJCIESZAK, J. ROGALA, R. PASTUSZEK..21
STRESZCZENIE
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań wpływu rodzaju
podłoża na właściwości cienkich warstw ITO, takich jak
chropowatość powierzchni, zwilżalność, rezystywność oraz
współczynnik odbicia światła. Analizie poddano warstwy ITO
o grubości 70 nm, naniesione metodą rozpylania magnetronowego
na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO2), krzemu
(Si), poliwęglanu (PC) oraz poli(tereftalanu etylenu) (PET).
Badania wykazały istotny wpływ ukształtowania powierzchni
podłoża na właściwości naniesionej cienkiej warstwy ITO.
Uzyskana rezystywność warstw ITO wykazała różnice nawet
o kilka rzędów wielkości dla zastosowanych różnych podłoży.
Cienkie warstwy ITO wykazały właściwości hydrofilowe na każdym
badanym podłożu, natomiast największą wartością kąta
zwilżania charakteryzowała się warstwa ITO/SiO2. Najmniejszą
wartość współczynnika odbicia światła dla długości fali
550 nm wykazała warstwa tlenku indowo-cynowego na podłożu
krzemowym i wynosiła ok. 3,2%.
SŁOWA KLUCZOWE:ITO, cienkie warstwy, podłoże, zwilżalność,
rezystywność, współczynnik odbicia
ABSTRACT
This paper presents the results of research on the influence
of substrate type on the properties of ITO thin films, such as
surface roughness, wettability, resistivity and light reflectance.
ITO 70 nm thick coatings were deposited using magnetron sputtering
to amorphous silica (SiO2), silicon (Si), polycarbonate (PC)
and polyethylene terephthalate (PET) substrates. The research
showed a significant influence of the surface roughness of the
substrate on the properties of the deposited ITO thin film. The
obtained resistivity of ITO thin films varied even by several orders
of magnitude for the various substrates used. Investigated
materials showed a hydrophilic properties on each substrate,
but the ITO/SiO2 layer was characterized by the highest value
of the contact angle. The lowest value of the reflectance at the
wavelength of 550 nm showed the indium-tin oxide thin film
deposited on the silicon substrate and was about 3.2%.
KEYWORDS:ITO, thin films, substrate, wettability, resistivity,
reflectance
NANOPROSZKI NA BAZIE TiO2 DO WYTWARZANIA POWŁOK
SAMOCZYSZCZĄCYCH
(Nanoparticles TiO2 to produce self-cleaning coatings)
E. MAŃKOWSKA, D. KACZMAREK, A. OBSTARCZYK, M. STRZYŻEWSKI.24
STRESZCZENIE
W pracy zaprezentowano wyniki badania wpływu ilości domieszki
(2% at. oraz 4% at.) oraz temperatury wygrzewania
(300°C i 600°C) na zdolność do rozkładu oranżu metylowego
przez nanocząstki dwutlenku tytanu domieszkowane cerem
(TiO2:Ce) w wyniku procesu fotokatalizy. Nanocząstki TiO2 zostały
wytworzone metodą zol-żel, przy użyciu TTiP jako prekursora.
Zaobserwowano, że lepsze właściwości fotokatalityczne
ma próbka domieszkowana mniejszą ilością ceru, co oznacza,
że istnieje optymalna zawartość domieszki. Aktywność fotokatalityczna
tej próbki wynosiła 16,7%. Wygrzewanie w wysokiej
temperaturze miało negatywny wpływ na zdolności próbek do
rozkładu barwnika, gdyż aktywność fotokatalityczna żadnej
z wygrzanych próbek nie przekroczyła 4%.
SŁOWA KLUCZOWE:TiO2, cer, nanocząstki, zol-żel, fotokataliza,
wygrzewanie poprocesowe
ABSTRACT
This paper presents the results of the investigation of concentration
of the dopant (2 at.% Ce and 4 at.% Ce) and high-temperature
annealing (300°C i 600°C) on the decomposition of
methyl orange by titanium dioxide nanoparticles doped with
cerium (TiO2:Ce) as a result of photocatalysis process. Methyl
orange was decomposed by TiO2:Ce nanoparticles, which
were synthesized by sol-gel technique with using TTiP as
a precursor. It was observed that the higher photocatalytic activity
has been obtained by TiO2 doped with smaller amount of
cerium, which suggests the existence of the optimum dopant
concentration. The photocatalytic activity of this nanoparticles
was equal to 16.7%. Moreover, high-temperature annealing had
a negative effect on TiO2:Ce nanoparticles on decomposition
ability, due to the fact that the photocatalytic activity of all
annealed nanoparticles did not achieve 4%.
KEYWORDS:TiO2, cerium, nanoparticles, photocatalysis, solgel,
post process annealing
NANOMETRYCZNE SYSTEMY POWŁOKOWE: OD ELEKTRONIKI DO OCHRONY
KOROZYJNEJ
(Nanometric coating systems from electronics to corrosion protection)
M. GROBELNY, M. KALISZ.......27
STRESZCZENIE
W pracy przedstawiono wpływ powłok wytworzonych w procesie
plazmowym PECVD (ang. Plasma Enhanced Chemical
Vapour Deposition), z wykorzystaniem plazmy wysokiej częstotliwości
(13,56 MHz), na właściwości korozyjne stopu magnezu
AZ31 oraz stopu tytanu Ti6Al4V. Na stopie magnezu
wykonano powłoki SiO2 o grubościach 12 nm, 22 nm i 44 nm.
Natomiast na stopie tytanu powłokę Si3N4 o grubości 400 nm
i warstwę hybrydową Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr
o grubości 200 nm. Właściwości korozyjne badanych powłok
określono na podstawie analizy krzywych woltamperometrycznych.
Otrzymane wyniki pokazują wzrost odporności
korozyjnej badanych stopów w momencie zabezpieczenia
ich powierzchni proponowanymi warstwami ochronnymi.
W przypadku stopu magnezu, największy spadek wartości
gęstości prądu korozji zaobserwowano, dla warstwy SiO2
o grubości 44 nm a w przypadku stopu tytanu dla warstwy
hybrydowej Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr o grubości
200 nm.
SŁOWA KLUCZOWE:Odporność korozyjna, PRCVD, metody
elektrochemiczne, stopy metali lekkich
ABSTRACT
In this work, the influence of coatings produced in the radio
frequency plasma PECVD (Plasma Enhanced Vapor Deposition)
on the corrosion properties of magnesium alloy AZ31
and titanium alloy Ti6Al4V, has been reported. At the magnesium
alloy surface the silicon dioxide layers with three different
thickness: 12 nm, 22 nm and 44nm, was performed.
At the titanium alloy surface the silicon nitride layer with the
thickness 400 nm and hybrid layer Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/
Si3N4/Gr with the thickness 200 nm, were performed. Corrosion
properties of investigated coatings was based on analysis of
the voltammetric curves. Presented results have shown an
increase in corrosion resistance of investigated alloys at the
time of protecting their surface with the proposed protective
coatings. In the case of magnesium alloy, the largest decrease
of corrosion current density was observed for the SiO2 layer
with the thickness 44 nm, and in the case of titanium alloy for
the hybrid layer with the thickness 200 nm.
KEYWORDS:Corrosion resistance, PECVD, electrochemical
methods, light metal alloys
WPŁYW PARAMETRÓW PROCESU TECHNOLOGICZNEGO NA WŁAŚCIWOŚCI
CIENKICH WARSTW NA BAZIE MIEDZI
(Influence of the technological process conditions on properties of thin films
based on copper)
J. ROGALA, D. WOJCIESZAK, R. PASTUSZEK, E. MAŃKOWSKA..31
STRESZCZENIE
W pracy przedstawiona została analiza wpływu parametrów
procesu technologicznego wytwarzania cienkich warstw tlenków
miedzi na ich właściwości strukturalne, optyczne oraz
elektryczne. Badaniu poddane zostały warstwy wytworzone za
pomocą metody stałoprądowego rozpylania magnetronowego
w atmosferze mieszaniny O2:Ar o zawartości O2 wynoszącej odpowiednio
75% oraz 100%. Właściwości strukturalne badanych
warstw określone zostały na podstawie badania metodą dyfrakcji
rentgenowskiej. Właściwości optyczne scharakteryzowano
na podstawie pomiaru transmisji światła, a elektryczne na podstawie
charakterystyk prądowo-napięciowych. Badanie metodą
XRD wykazało, że uzyskano warstwy CuO (tlenku miedzi II) w
postaci tenorytu o średnim rozmiarze krystalitów wynoszącym
około 13 nm. Badanie właściwości optycznych wykazało, że nie
ma różnicy w transmisji światła dla promieniowania krótszego
niż około 600 nm. Nieznaczne różnice zauważalne między
warstwami widoczne są powyżej tej długości. Średnia wartość
transmisji dla długości fali λ = 550 nm wynosiła 35%. Badanie
właściwości elektrycznych wykazało, że warstwa naniesiona
w mieszaninie O2:Ar zawierającej 75% O2 miała rezystancję wynoszącą
około 17 kΩ podczas gdy rezystancja warstwy wytworzonej
w atmosferze wyłącznie tlenowej wynosiła około 5 kΩ.
SŁOWA KLUCZOWE:parametry procesu, tlenek miedzi, cienkie
warstwy, właściwości optyczne, właściwości elektryczne,
właściwości strukturalne
ABSTRACT
The paper presents an analysis of the impact of the parameters
of the technological process of copper oxides thin films on their
structural, optical and electrical properties. Investigated films
were deposited using DC magnetron sputtering method in the
atmosphere of the O2:Ar mixture with an O2 content of 75% and
100% respectively. The structural properties of the investigated
films were determined based on the X-ray diffraction method.
Optical properties were characterized on the basis of light transmission
measurements, and electrical properties based on current-
-voltage characteristics. The XRD showed that CuO (copper oxide
II) films were obtained in the form of a tenorite with an average
crystallite size of about 13 nm. The investigation of the optical
properties showed that there is no difference in light transmission
for wavelength shorter than approximately 600 nm. Slight
differences between the layers are visible above this length. The
average transmission value at wavelength λ = 550 nm was 35%,
so these layers can be used in transparent electronics. Testing
of electrical properties showed that the layer deposited in the
O2:Ar gas mixture containing 75% of O2 had a resistance of approximately
17 kΩ, when the resistance of the layer prepared in
a pure oxygen atmosphere of approximately 5 kΩ.
KEYWORDS:process conditions, copper oxide, thin films, optical
properties, electrical properties, structural properties
TECHNOLOGIE ELEKTRONICZNE PODWÓJNEGO ZASTOSOWANIA
ARCHITEKTURA I KONFIGURACJA NARZĘDZI DO PRACY W ZESPOLE
PROGRAMISTYCZNYM W METODYCE SCRUM
(Architecture and configuration of tools for working in a programming team
in the Scrum methodology)
P. KACZMAREK, M. WOJTCZAK....34
STRESZCZENIE
W artykule opisano narzędzia wspomagające pracę zespołu
programistycznego. Opisano najpopularniejsze rozwiązania,
które pomagają wytwarzać oprogramowanie w metodologii
Scrum. Wyszczególniono funkcje narzędzi Jira, GitLab, Jenkins
i SonarQube, które pozwalają efektywnie i wydajnie realizować
projekty z wykorzystaniem metod zwinnych. Opisano sposób
instalacji i konfiguracji tych narzędzi.
SŁOWA KLUCZOWE:GitLab, Jenkins, Jira, SonarQube, Metodyka
Scrum, Agile
ABSTRACT
The article describes tools supporting the work of the programming
team. The most popular solutions that help to produce
software in the Scrum methodology have been described. The
functions of the Jira, GitLab, Jenkins and SonarQube tools are
listed, which allow you to effectively and efficiently implement
projects using agile methods. The installation and configuration
of these tools are described.
KEYWORDS:GitLab, Jenkins, Jira, SonarQube, Scrum methodology,
Agile
RICH COMMUNICATION SERVICE – NOWA JAKOŚĆ W KOMUNIKACJI
MOBILNEJ?
(Rich Communication Service – a new quality in mobile communication?)
M. WOJTCZAK........37
STRESZCZENIE
W artykule przedstawiono jeden z nowych standardów komunikacji
– Rich Communication System, wdrażany przez Google.
Opisana została krótka historia rozwiązania, funkcjonalność,
możliwe zastosowania, przedstawiono protokół wykorzystywany
do obsługi RCS oraz bezpieczeństwo komunikacji. Artykuł
prezentuje również opinie polskich internautów oraz stanowisko
operatorów sieci komórkowych.
SŁOWA KLUCZOWE:komunikacja mobilna, Rich Communication
Service, SMS, nowości w komunikacji, Google
ABSTRACT
The article presents one of the new communication standards
– the Rich Communication System, launched by Google. A short
history of the solution, functionality, possible applications,
a protocol used to operate RCS and the security of communication
were described. The article also presents opinions
of Polish Internet users and the position of mobile network
operators.
KEYWORDS:mobile communication, Rich Communication
Service, SMS, news in communication, Google