Wersje Językowe

MENU

ARCHIWUM

INFORMACJE

NASI PARTNERZY

AKTUALNY NUMER ELEKTRONIKA

Spis tresci zeszytu Elektronika nr 7/2019

OBLICZENIA DOTYCZĄCE ELEMENTÓW SKŁADOWYCH WPŁYWAJĄCYCH NA WARTOŚĆ REZYSTANCJI SZEREGOWEJ KRZEMOWEGO OGNIWA SŁONECZNEGO
(Calculations relating to component elements influencing the value of series resistance of silicon solar cell)
M. MUSZTYFAGA-STASZUK..............4

STRESZCZENIE
Rezystancja szeregowa należy do parametrów stanowiących o jakości ogniwa słonecznego, dlatego przy jego projektowaniu i wytwarzaniu dąży się do zminimalizowania jej wartości. W artykule zawarto zestawienie parametrów służących do obliczeń numerycznych składników rezystancji szeregowej ogniwa słonecznego oraz wynikającą z tego rezystywność. Określono wpływ właściwości warstw konstrukcyjnych krzemowego ogniwa słonecznego na jego rezystancję szeregową. Do badań zastosowano ogniwo słoneczne, w którym elektrodę przednią wytwarzano na bazie komercyjnej pasty srebrnej modyfikowanej komponentem CuXX.
SŁOWA KLUCZOWE:krzemowe ogniwa słoneczne, przednia elektroda, rezystancją szeregowa

ABSTRACT
Series resistance belongs to the parameters that determine the quality of a solar cell, therefore its design and production aims to minimize its value. The article contains a list of parameters used for numerical calculation of solar cell series resistance components and the resulting of this resistivity. The influence of properties of silicon solar cell construction layers on its series resistance was determined. A solar cell was used for the investigations, in which the front electrode was performed on the basis of a commercial silver paste modified with the CuXX component.
KEYWORDS:Silicon solar cells, front electrode, series resistance

WPŁYW STRUKTURY NA WŁAŚCIWOŚCI ELEKTRYCZNE ORAZ OPTYCZNE CIENKICH WARSTW NA BAZIE TLENKÓW TYTANU I MIEDZI

(Influence of the structure on the electrical and optical properties of thin films based on the titanium and copper oxides)
A. OBSTARCZYK, D. KACZMAREK, W. POSADOWSKI, E. MAŃKOWSKA, M. GROBELNY.7

STRESZCZENIE
W pracy przedstawiono wyniki badania wpływu struktury na właściwości elektryczne oraz optyczne cienkich warstw na bazie tlenków tytanu i miedzi. Cienkie warstwy tlenku miedzi oraz dwuwarstwy TiO2/CuxO o różnej grubości TiO2 na powierzchni CuxO były naniesione metodą rozpylania magnetronowego. Wytworzone dwuwarstwy TiO2/CuxO o różnej grubości TiO2 były nanokrystaliczne o jednoskośnej strukturze tlenku miedzi II (CuO). Średni rozmiar krystalitów był w zakresie od 10 nm do 14 nm. Stwierdzono, że rezystywność dla cienkiej warstwy CuO była równa 0,7·103 Ω·cm, natomiast dla struktur TiO2/CuO była w zakresie 0,8·103 ÷ 1,5·103 Ω·cm. W przypadku powłok dwuwarstwowych TiO2/CuO średnia wartość współczynnika transmisji światła wynosiła ponad 80%.
SŁOWA KLUCZOWE:TiO2/CuO, cienkie warstwy, rozpylanie magnetronowe, właściwości elektryczne, właściwości optyczne

ABSTRACT
This paper provides research investigation results and analysis of influence of the structure on electrical and optical properties of thin films based on the titanium and copper oxides. CuxO and TiO2/CuxO thin films with different thickness of top TiO2 layer coatings were deposited by the reactive magnetron sputtering method. TiO2/CuxO bilayers with different thickness of top TiO2 layer were nanocrystalline and had monoclinc structure of CuO. The crystallite sizes were in the range of 10 nm to 14 nm. It was found that the resistivity for the CuO film was equal to 0.7·103 Ω·cm, and for TiO2/CuO structures was in the range of 0.8·103 ÷ 1.5·103 Ω·cm. As-prepared bilayers were well transparent, average transparency was above 80%.
KEYWORDS:TiO2/CuO, thin films, magnetron sputtering, electrical properties, optical properties

BADANIE WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH WARSTW TLENKÓW CYNKU OTRZYMYWANYCH METODĄ REAKTYWNEGO IMPULSOWEGO ROZPYLANIA MAGNETRONOWEGO
(Investigation of the properties of zinc oxide thin films deposited by the reactive pulsed magnetron sputtering method)
A. WIATROWSKI, W. POSADOWSKI, D. WOJCIESZAK, M. MAZUR, A. OBSTARCZYK A. ZIĘBA..10

STRESZCZENIE
W pracy przedstawiono wyniki badań technologii otrzymywania warstw ZnOx metodą impulsowego reaktywnego rozpylania magnetronowego. Badano charakterystyki elektryczne procesów reaktywnych podczas rozpylania targetu Zn w obecności mieszaniny argon + tlen, identyfikując mod rozpylania magnetronowego. Określono warunki technologiczne, przy których osadzone warstwy miały właściwości zbliżone do właściwości stechiometrycznego tlenku cynku. Morfologia przekroju powierzchni wytworzonych warstw wskazała na budowę matrycy/osnowy dielektrycznej z wtrąceniami metalicznymi przy małym poziomie mocy krążącej, gdy strukturę włóknistą/ /kolumnową miały warstwy otrzymane przy dużych wartościach mocy krążącej. Współczynnik załamania światła wytworzonych warstw był w zakresie 1,97 ÷ 1,98. Badania przedstawione w pracy pokazały, że parametry procesu osadzania miału duży wpływ na wartość współczynnika ekstynkcji światła.
. SŁOWA KLUCZOWE:cienkie warstwy tlenku cynku, impulsowe rozpylanie magnetronowe, próżnia, właściwości powierzchni, właściwości optyczne

ABSTRACT
This paper provides the results of research investigation of pulsed reactive magnetron sputtering method for preparation of ZnOx thin films. For identification the magnetron sputtering mode, the electrical characteristics of the reactive processes during sputtering of Zn target in the mixed argon + oxygen atmosphere were investigated. Technological conditions at which deposited films had properties similar to stoichiometric zinc oxide were determined. The morphology of films crosssection indicate that the structure of dielectric matrix/wrap with metallic inclusions was obtained at a low level of circulating power, while coatings obtained at high circulating power values had fibrous/column structure. The refractive index of the prepared films was in the range of 1.97 to 1.98. Research presented in this work showed that the parameters of sputtering had an effect on the value of the extinction coefficient.
KEYWORDS:zinc oxide thin films, pulsed magnetron sputtering, vacuum, surface properties, optical properties

ANALIZA EFEKTU PRZEŁĄCZANIA REZYSTANCJI W STRUKTURACH CIENKOWARSTWOWYCH Z RÓŻNYM PROFILEM SKŁADU MATERIAŁOWEGO
(Analysis of resistive switching effect in thin-film structures with different profiles of material compositions)
T. KOTWICA, J. DOMARADZKI, D. KACZMAREK, J. ROGALA, M. STRZYŻEWSKI..14

STRESZCZENIE
Niniejsza praca przedstawia wyniki badań elektrycznych oraz strukturalnych cienkich warstw (Ti-Cu)Ox wytworzonych metodą rozpylania magnetronowego z zaprogramowanym profilem rozkładu pierwiastków. Wytworzenie cienkich warstw zaplanowano tak, aby uzyskać gradientową zmianę koncentracji miedzi w funkcji grubości osadzonej warstwy o zadanym kształcie. Analiza składu materiałowego wykazała, że wytworzone warstwy posiadały podobny skład materiałowy wynoszący odpowiednio (Ti52Cu48)Ox oraz (Ti48Cu52)Ox oraz posiadały zadany kształt profilu rozkładu miedzi. Przeprowadzone analizy przekroi struktur wykonane za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego potwierdziły uzyskanie zarówno gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery V, jak i gradientu rozkładu miedzi o kształcie litery U w całej objętości cienkiej warstwy. Badania elektryczne wykazały, że mimo podobnego składu materiałowego wytworzonych cienkich warstw, uzyskano różne przebiegi charakterystyk prądowo-napięciowych, a więc możliwe jest sterowanie typem efektu przełączania rezystancji przez zadanie określonego profilu rozkładu pierwiastków w danej strukturze.
SŁOWA KLUCZOWE:cienka warstwa, tlenek miedzi, tlenek tytanu, rozkład gradientowy, właściwości elektryczne

ABSTRACT
The present paper shows the results of electrical properties along with the investigations of the structure of the (Ti-Cu)Ox thin films layers fabricated by the magnetron sputtering. Thin films were prepared in order to achieve gradient change of the cooper concentration in the function of the thickness of the deposited layers with programmed shape of elemental profiles. Analysis of the material compositions showed, that deposited films have similar material composition respectively, (Ti52Cu48)Ox and (Ti48Cu52)Ox with programmed specific shape of the elements gradient profile. Conducted analysis of the films with the help of transmission electron microscope proved the V-shape and the U-shape gradient distribution of the cooper across the thin films. Electrical measurements have shown that despite similar material composition of the fabricated thin films, different waveforms of current-voltage characteristics were obtained, leading to the statement that it is possible to control the type of mechanism of the resistive switching effect by programming a specific distribution profile of elements in a given structure.
KEYWORDS:thin film, cooper oxide, titanium oxide, gradient distribution, electrical properties

ANALIZA WŁAŚCIWOŚCI ANTYSTATYCZNYCH CIENKICH WARSTW NA BAZIE TLENKÓW Hf I Ti W POWIĄZANIU Z ICH MIKROSTRUKTURĄ
(Analysis of antistatic properties thin films oxides in correlation with microstructure properties)
R. PASTUSZEK, M. MAZUR, D. KACZMAREK, J. DOMARADZKI, A. WIATROWSKI...18

STRESZCZENIE
W pracy przedstawiona została analiza właściwości antystatycznych cienkowarstwowych powłok na bazie tlenków Hf oraz Ti w powiązaniu z ich właściwościami strukturalnymi. Cienkie warstwy badane w ramach pracy wytworzone zostały za pomocą metody rozpylania magnetronowego na podłożach SiO2 oraz SiO2 pokrytych warstwą tlenku indowo-cynowego o grubości 150 nm. Właściwości antystatyczne zostały określone na podstawie pomiaru czasu rozpraszania ładunku statycznego, natomiast właściwości strukturalne na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej XRD. Badania metodą XRD wykazały, warstwy HfO2, (Hf0,85Ti0,15)Ox oraz TiO2 były nanokrystaliczne, a ich średni rozmiar krystalitów wynosił poniżej 10 nm. Z kolei powłoka (Hf0,15Ti0,85)Ox była amorficzna. Dla wszystkich warstw naniesionych na SiO2 czasy rozpraszania ładunku przekraczały 2 sekundy wynikające z przyjętego kryterium antystatyczności. Najdłuższym czasem rozpraszania charakteryzowała się warstwa amorficzna. Naniesienie warstw na podłoże SiO2 pokryte 150 nm warstwą ITO spowodowało, że wszystkie warstwy niezależnie od ich mikrostruktury były antystatyczne, a czasy rozpraszania ładunku elektrycznego były rzędu setek milisekund.
SŁOWA KLUCZOWE:mieszaniny tlenków HfO2-TiO2, rozpylanie magnetronowe, właściwości elektryczne, właściwości antystatyczne, właściwości mikrostrukturalne

ABSTRACT
This work presents the analysis of antistatic properties of thinfilm coatings based on Hf and Ti oxides in relation to their structural properties. Investigated thin films were sputtered by the magnetron sputtering method on SiO2 substrates and deposited SiO2 covered with a 150 nm thick indium-tin oxide film. Antistatic properties were determined based on the measurements of static charge dissipation time, while structural properties based on X-ray diffraction. The XRD results showed, that HfO2, Hf0.85Ti0.15Ox and TiO2 thin films were nanocrystalline with an average crystallite size below 10 nm. Hf0.15Ti0.85Ox film was amorphous. For films deposited on SiO2 the dissipation times exceeded 2 seconds, which indicated that none of them were antistatic taking into consideration with accepted cryterion. The longest dissipation time was obtained for amorphous coating. Deposition of thin films on SiO2 substrates coated with a 150 nm thick ITO layer results in a significate decrease of static charge dissipation time to hundreds of milliseconds, independently of their structural properties.
KEYWORDS:HfO2-TiO2 mixed oxides, magnetron sputtering, electrical properties, antistatic properties, microstructural properties

WPŁYW RODZAJU PODŁOŻA NA WYBRANE WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH WARSTW ITO
(Influence of substrate type on selected properties of ITO thin films)
M. STRZYŻEWSKI, D. WOJCIESZAK, J. ROGALA, R. PASTUSZEK..21

STRESZCZENIE
W niniejszej pracy przedstawiono wyniki badań wpływu rodzaju podłoża na właściwości cienkich warstw ITO, takich jak chropowatość powierzchni, zwilżalność, rezystywność oraz współczynnik odbicia światła. Analizie poddano warstwy ITO o grubości 70 nm, naniesione metodą rozpylania magnetronowego na podłoża z krzemionki amorficznej (SiO2), krzemu (Si), poliwęglanu (PC) oraz poli(tereftalanu etylenu) (PET). Badania wykazały istotny wpływ ukształtowania powierzchni podłoża na właściwości naniesionej cienkiej warstwy ITO. Uzyskana rezystywność warstw ITO wykazała różnice nawet o kilka rzędów wielkości dla zastosowanych różnych podłoży. Cienkie warstwy ITO wykazały właściwości hydrofilowe na każdym badanym podłożu, natomiast największą wartością kąta zwilżania charakteryzowała się warstwa ITO/SiO2. Najmniejszą wartość współczynnika odbicia światła dla długości fali 550 nm wykazała warstwa tlenku indowo-cynowego na podłożu krzemowym i wynosiła ok. 3,2%.
SŁOWA KLUCZOWE:ITO, cienkie warstwy, podłoże, zwilżalność, rezystywność, współczynnik odbicia

ABSTRACT
This paper presents the results of research on the influence of substrate type on the properties of ITO thin films, such as surface roughness, wettability, resistivity and light reflectance. ITO 70 nm thick coatings were deposited using magnetron sputtering to amorphous silica (SiO2), silicon (Si), polycarbonate (PC) and polyethylene terephthalate (PET) substrates. The research showed a significant influence of the surface roughness of the substrate on the properties of the deposited ITO thin film. The obtained resistivity of ITO thin films varied even by several orders of magnitude for the various substrates used. Investigated materials showed a hydrophilic properties on each substrate, but the ITO/SiO2 layer was characterized by the highest value of the contact angle. The lowest value of the reflectance at the wavelength of 550 nm showed the indium-tin oxide thin film deposited on the silicon substrate and was about 3.2%.
KEYWORDS:ITO, thin films, substrate, wettability, resistivity, reflectance

NANOPROSZKI NA BAZIE TiO2 DO WYTWARZANIA POWŁOK SAMOCZYSZCZĄCYCH
(Nanoparticles TiO2 to produce self-cleaning coatings)
E. MAŃKOWSKA, D. KACZMAREK, A. OBSTARCZYK, M. STRZYŻEWSKI.24

STRESZCZENIE
W pracy zaprezentowano wyniki badania wpływu ilości domieszki (2% at. oraz 4% at.) oraz temperatury wygrzewania (300°C i 600°C) na zdolność do rozkładu oranżu metylowego przez nanocząstki dwutlenku tytanu domieszkowane cerem (TiO2:Ce) w wyniku procesu fotokatalizy. Nanocząstki TiO2 zostały wytworzone metodą zol-żel, przy użyciu TTiP jako prekursora. Zaobserwowano, że lepsze właściwości fotokatalityczne ma próbka domieszkowana mniejszą ilością ceru, co oznacza, że istnieje optymalna zawartość domieszki. Aktywność fotokatalityczna tej próbki wynosiła 16,7%. Wygrzewanie w wysokiej temperaturze miało negatywny wpływ na zdolności próbek do rozkładu barwnika, gdyż aktywność fotokatalityczna żadnej z wygrzanych próbek nie przekroczyła 4%.
SŁOWA KLUCZOWE:TiO2, cer, nanocząstki, zol-żel, fotokataliza, wygrzewanie poprocesowe

ABSTRACT
This paper presents the results of the investigation of concentration of the dopant (2 at.% Ce and 4 at.% Ce) and high-temperature annealing (300°C i 600°C) on the decomposition of methyl orange by titanium dioxide nanoparticles doped with cerium (TiO2:Ce) as a result of photocatalysis process. Methyl orange was decomposed by TiO2:Ce nanoparticles, which were synthesized by sol-gel technique with using TTiP as a precursor. It was observed that the higher photocatalytic activity has been obtained by TiO2 doped with smaller amount of cerium, which suggests the existence of the optimum dopant concentration. The photocatalytic activity of this nanoparticles was equal to 16.7%. Moreover, high-temperature annealing had a negative effect on TiO2:Ce nanoparticles on decomposition ability, due to the fact that the photocatalytic activity of all annealed nanoparticles did not achieve 4%.
KEYWORDS:TiO2, cerium, nanoparticles, photocatalysis, solgel, post process annealing

NANOMETRYCZNE SYSTEMY POWŁOKOWE: OD ELEKTRONIKI DO OCHRONY KOROZYJNEJ
(Nanometric coating systems from electronics to corrosion protection)
M. GROBELNY, M. KALISZ.......27

STRESZCZENIE
W pracy przedstawiono wpływ powłok wytworzonych w procesie plazmowym PECVD (ang. Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition), z wykorzystaniem plazmy wysokiej częstotliwości (13,56 MHz), na właściwości korozyjne stopu magnezu AZ31 oraz stopu tytanu Ti6Al4V. Na stopie magnezu wykonano powłoki SiO2 o grubościach 12 nm, 22 nm i 44 nm. Natomiast na stopie tytanu powłokę Si3N4 o grubości 400 nm i warstwę hybrydową Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr o grubości 200 nm. Właściwości korozyjne badanych powłok określono na podstawie analizy krzywych woltamperometrycznych. Otrzymane wyniki pokazują wzrost odporności korozyjnej badanych stopów w momencie zabezpieczenia ich powierzchni proponowanymi warstwami ochronnymi. W przypadku stopu magnezu, największy spadek wartości gęstości prądu korozji zaobserwowano, dla warstwy SiO2 o grubości 44 nm a w przypadku stopu tytanu dla warstwy hybrydowej Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr o grubości 200 nm.
SŁOWA KLUCZOWE:Odporność korozyjna, PRCVD, metody elektrochemiczne, stopy metali lekkich

ABSTRACT
In this work, the influence of coatings produced in the radio frequency plasma PECVD (Plasma Enhanced Vapor Deposition) on the corrosion properties of magnesium alloy AZ31 and titanium alloy Ti6Al4V, has been reported. At the magnesium alloy surface the silicon dioxide layers with three different thickness: 12 nm, 22 nm and 44nm, was performed. At the titanium alloy surface the silicon nitride layer with the thickness 400 nm and hybrid layer Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/Si3N4/Gr/ Si3N4/Gr with the thickness 200 nm, were performed. Corrosion properties of investigated coatings was based on analysis of the voltammetric curves. Presented results have shown an increase in corrosion resistance of investigated alloys at the time of protecting their surface with the proposed protective coatings. In the case of magnesium alloy, the largest decrease of corrosion current density was observed for the SiO2 layer with the thickness 44 nm, and in the case of titanium alloy for the hybrid layer with the thickness 200 nm.
KEYWORDS:Corrosion resistance, PECVD, electrochemical methods, light metal alloys

WPŁYW PARAMETRÓW PROCESU TECHNOLOGICZNEGO NA WŁAŚCIWOŚCI CIENKICH WARSTW NA BAZIE MIEDZI
(Influence of the technological process conditions on properties of thin films based on copper)
J. ROGALA, D. WOJCIESZAK, R. PASTUSZEK, E. MAŃKOWSKA..31

STRESZCZENIE
W pracy przedstawiona została analiza wpływu parametrów procesu technologicznego wytwarzania cienkich warstw tlenków miedzi na ich właściwości strukturalne, optyczne oraz elektryczne. Badaniu poddane zostały warstwy wytworzone za pomocą metody stałoprądowego rozpylania magnetronowego w atmosferze mieszaniny O2:Ar o zawartości O2 wynoszącej odpowiednio 75% oraz 100%. Właściwości strukturalne badanych warstw określone zostały na podstawie badania metodą dyfrakcji rentgenowskiej. Właściwości optyczne scharakteryzowano na podstawie pomiaru transmisji światła, a elektryczne na podstawie charakterystyk prądowo-napięciowych. Badanie metodą XRD wykazało, że uzyskano warstwy CuO (tlenku miedzi II) w postaci tenorytu o średnim rozmiarze krystalitów wynoszącym około 13 nm. Badanie właściwości optycznych wykazało, że nie ma różnicy w transmisji światła dla promieniowania krótszego niż około 600 nm. Nieznaczne różnice zauważalne między warstwami widoczne są powyżej tej długości. Średnia wartość transmisji dla długości fali λ = 550 nm wynosiła 35%. Badanie właściwości elektrycznych wykazało, że warstwa naniesiona w mieszaninie O2:Ar zawierającej 75% O2 miała rezystancję wynoszącą około 17 kΩ podczas gdy rezystancja warstwy wytworzonej w atmosferze wyłącznie tlenowej wynosiła około 5 kΩ.
SŁOWA KLUCZOWE:parametry procesu, tlenek miedzi, cienkie warstwy, właściwości optyczne, właściwości elektryczne, właściwości strukturalne

ABSTRACT
The paper presents an analysis of the impact of the parameters of the technological process of copper oxides thin films on their structural, optical and electrical properties. Investigated films were deposited using DC magnetron sputtering method in the atmosphere of the O2:Ar mixture with an O2 content of 75% and 100% respectively. The structural properties of the investigated films were determined based on the X-ray diffraction method. Optical properties were characterized on the basis of light transmission measurements, and electrical properties based on current- -voltage characteristics. The XRD showed that CuO (copper oxide II) films were obtained in the form of a tenorite with an average crystallite size of about 13 nm. The investigation of the optical properties showed that there is no difference in light transmission for wavelength shorter than approximately 600 nm. Slight differences between the layers are visible above this length. The average transmission value at wavelength λ = 550 nm was 35%, so these layers can be used in transparent electronics. Testing of electrical properties showed that the layer deposited in the O2:Ar gas mixture containing 75% of O2 had a resistance of approximately 17 kΩ, when the resistance of the layer prepared in a pure oxygen atmosphere of approximately 5 kΩ.
KEYWORDS:process conditions, copper oxide, thin films, optical properties, electrical properties, structural properties

TECHNOLOGIE ELEKTRONICZNE PODWÓJNEGO ZASTOSOWANIA
ARCHITEKTURA I KONFIGURACJA NARZĘDZI DO PRACY W ZESPOLE PROGRAMISTYCZNYM W METODYCE SCRUM

(Architecture and configuration of tools for working in a programming team in the Scrum methodology)
P. KACZMAREK, M. WOJTCZAK....34

STRESZCZENIE
W artykule opisano narzędzia wspomagające pracę zespołu programistycznego. Opisano najpopularniejsze rozwiązania, które pomagają wytwarzać oprogramowanie w metodologii Scrum. Wyszczególniono funkcje narzędzi Jira, GitLab, Jenkins i SonarQube, które pozwalają efektywnie i wydajnie realizować projekty z wykorzystaniem metod zwinnych. Opisano sposób instalacji i konfiguracji tych narzędzi.
SŁOWA KLUCZOWE:GitLab, Jenkins, Jira, SonarQube, Metodyka Scrum, Agile

ABSTRACT
The article describes tools supporting the work of the programming team. The most popular solutions that help to produce software in the Scrum methodology have been described. The functions of the Jira, GitLab, Jenkins and SonarQube tools are listed, which allow you to effectively and efficiently implement projects using agile methods. The installation and configuration of these tools are described.
KEYWORDS:GitLab, Jenkins, Jira, SonarQube, Scrum methodology, Agile

RICH COMMUNICATION SERVICE – NOWA JAKOŚĆ W KOMUNIKACJI MOBILNEJ?
(Rich Communication Service – a new quality in mobile communication?)
M. WOJTCZAK........37

STRESZCZENIE
W artykule przedstawiono jeden z nowych standardów komunikacji – Rich Communication System, wdrażany przez Google. Opisana została krótka historia rozwiązania, funkcjonalność, możliwe zastosowania, przedstawiono protokół wykorzystywany do obsługi RCS oraz bezpieczeństwo komunikacji. Artykuł prezentuje również opinie polskich internautów oraz stanowisko operatorów sieci komórkowych.
SŁOWA KLUCZOWE:komunikacja mobilna, Rich Communication Service, SMS, nowości w komunikacji, Google

ABSTRACT
The article presents one of the new communication standards – the Rich Communication System, launched by Google. A short history of the solution, functionality, possible applications, a protocol used to operate RCS and the security of communication were described. The article also presents opinions of Polish Internet users and the position of mobile network operators.
KEYWORDS:mobile communication, Rich Communication Service, SMS, news in communication, Google